时间：2025/9/14 13:14:06
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2N7002PS,125 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于低电压和中等功率开关电路中，具有良好的热稳定性和快速开关特性。其采用SOT-23（SC-59）封装，适合表面贴装工艺，适用于多种电子设备中的电源管理和信号控制功能。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：110mA（连续）
导通电阻（RDS(on)）：约5Ω（典型值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT-23（SC-59）
2N7002PS,125 的主要特性之一是其高可靠性与稳定的性能表现。该器件具有较低的栅极电荷（Qg），使其在高频开关应用中表现出色，适用于需要快速切换的电路设计。此外，其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率。该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在较高的温度环境下稳定工作。
另一个显著特点是其宽泛的工作电压范围。漏源电压（VDS）高达60V，使其适用于多种电源管理场合。同时，栅源电压（VGS）允许±20V，增强了其在不同控制电路中的适应性。由于其SOT-23封装体积小巧，适合用于空间受限的电路板设计。
该器件还具备较强的抗静电能力，能够在制造和使用过程中更好地抵抗静电放电（ESD）造成的损害，从而提高产品的整体可靠性。此外，该MOSFET的导通阈值电压较低，通常在1V到3V之间，使其能够在低电压控制系统中轻松驱动。
2N7002PS,125 广泛应用于多种电子设备和系统中，包括电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关、继电器驱动电路、LED驱动器、信号切换电路以及微控制器外围电路等。由于其快速开关特性，该MOSFET常用于电池供电设备中的节能控制，如便携式电子产品、智能家居设备和工业自动化控制系统。
在嵌入式系统中，该器件常用于控制外围设备的电源供应，例如传感器、继电器和小型电机的驱动。此外，它也可用于数字电路中的电平转换和信号隔离功能。在汽车电子系统中，2N7002PS,125 也可用于车载电源管理、车灯控制及小型执行器的驱动电路中。
2N7002E,215
2N7002K,235
BS170
