ZTX450STZ 时间：2025/12/26 11:12:39 阅读：9

ZTX450STZ是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用SOT-23（Small Outline Transistor）封装，适用于表面贴装技术（SMT）。该器件广泛用于电源管理、负载开关、电池供电设备以及各类便携式电子产品中。作为一款低电压、低功耗的MOSFET，ZTX450STZ在导通电阻和栅极电荷之间实现了良好的平衡，使其在开关应用中表现出较高的效率。其P沟道特性意味着在栅极施加相对于源极为负的电压时，器件导通，适合高边开关配置或逻辑控制驱动。ZTX450STZ的设计注重小型化与高性能，满足现代电子设备对空间节省和能效优化的需求。该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适用于绿色电子产品制造。此外，SOT-23封装便于自动化贴片生产，提高了组装效率和可靠性。

参数

类型：P沟道
　　极性：P-Channel
　　漏源电压（VDS）：-50V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-100mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：-400mA
　　导通电阻（RDS(on)）：6.5Ω @ VGS = -10V
　　导通电阻（RDS(on)）：8.5Ω @ VGS = -4.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.5V
　　栅极电荷（Qg）：1.7nC @ VDS = 25V
　　输入电容（Ciss）：23pF @ VDS = 25V
　　反向传输电容（Crss）：4pF @ VDS = 25V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装/外壳：SOT-23

特性

ZTX450STZ具备优异的电气性能和热稳定性，能够在宽温度范围内稳定工作，适用于各种严苛环境下的电子系统。其低导通电阻特性有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效，特别适合用于电池供电设备以延长续航时间。该器件的栅极阈值电压较低，在-1.0V至-2.5V之间，使得它能够被低电压逻辑信号直接驱动，兼容3.3V或5V数字控制系统，无需额外的电平转换电路。这种特性使其在微控制器I/O控制、LED驱动、电源开关等应用中具有显著优势。
　　该MOSFET具有较小的输入电容和反向传输电容，意味着在开关过程中所需的驱动能量较少，从而减少了开关延迟和动态损耗，提高了响应速度。这对于高频开关操作尤为重要，有助于实现快速的开启与关断动作。同时，较低的栅极电荷（仅1.7nC）进一步降低了驱动电路的负担，使控制器能够更高效地控制MOSFET的状态切换。ZTX450STZ还具备良好的抗噪能力和稳定的栅极绝缘层，防止因静电放电（ESD）或瞬态过压导致的损坏，增强了系统的可靠性。
　　SOT-23封装不仅体积小巧，占用PCB面积小，而且具有良好的散热性能，通过适当的布局设计可有效将热量传导至PCB铜箔上进行散逸。该封装形式支持回流焊工艺，适用于大规模自动化生产。ZTX450STZ的-50V漏源电压额定值使其适用于多种中低压直流电源系统，如工业控制模块、通信接口保护、USB电源管理等领域。综合来看，ZTX450STZ以其高集成度、低功耗、高可靠性和易用性，成为众多小型化电源管理方案中的理想选择。

应用

ZTX450STZ常用于便携式电子设备中的电源开关控制，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品中的电池隔离与负载管理。它也广泛应用于各类消费类电子产品中的LED背光驱动电路，作为恒流源的通断控制元件。在工业自动化领域，该器件可用于传感器模块的电源启停控制，实现节能待机功能。此外，ZTX450STZ适用于各种需要高边开关配置的场景，如电源多路复用、热插拔保护电路以及USB端口的电流限制与故障保护。由于其良好的温度特性和稳定性，也可用于汽车电子中的辅助电源系统或车载信息娱乐设备的子模块供电控制。在嵌入式系统和微控制器项目中，工程师常使用该器件作为GPIO扩展的驱动级，控制继电器、指示灯或其他外围设备的通断。其小型封装特别适合空间受限的设计，如可穿戴设备和物联网节点。