类型：精密运算放大器
　　电路数：1
　　增益带宽积（GBW）：63 MHz
　　压摆率（Slew Rate）：17 V/μs
　　输入失调电压（Vos）：10 μV（典型值），25°C时最大30 μV
　　输入失调电压温漂（dVos/dT）：0.2 μV/°C
　　输入偏置电流（Ib）：±10 nA（典型值）
　　输入失调电流（Ios）：2 nA（典型值）
　　电压噪声密度（@1 kHz）：3 nV/√Hz
　　电流噪声密度：0.6 pA/√Hz
　　共模抑制比（CMRR）：126 dB
　　电源抑制比（PSRR）：126 dB
　　工作电源电压：±10 V 至 ±22 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：TO-99-8（金属密封）

OP37GZ具备卓越的直流精度和低噪声性能，是高精度模拟信号处理的理想选择。其输入失调电压仅为10μV（典型值），且温漂低至0.2μV/°C，确保了在宽温度范围内仍能保持极高的测量准确性，特别适用于长时间连续运行的精密仪器系统。这种极低的失调和温漂特性来源于内部激光修调的薄膜电阻网络和高度匹配的差分输入级晶体管结构，使得器件在各种环境条件下都能维持稳定的性能表现。
　　该器件拥有高达63MHz的增益带宽积和17V/μs的压摆率，使其不仅适用于直流和低频信号放大，也能胜任高频小信号处理任务。相比传统精密运放，OP37GZ在保持高精度的同时显著提升了动态响应能力，可用于快速响应的闭环控制系统或高速数据采集前端。其电压噪声密度低至3nV/√Hz（@1kHz），接近双极性输入级运放的理论极限，结合0.6pA/√Hz的电流噪声水平，使它在低源阻抗环境下表现出色，广泛应用于高分辨率ADC驱动和前置放大电路。
　　OP37GZ采用TO-99金属密封封装，具备优异的机械强度、热稳定性和抗电磁干扰能力。这种封装形式可有效防止湿气侵入和材料老化，提高器件在恶劣工业环境下的可靠性与寿命。同时，该封装还具有良好的散热性能，有助于维持芯片内部结温稳定，避免因温度波动引起的参数漂移。此外，器件具有出色的共模抑制比（126dB）和电源抑制比（126dB），即使在存在较强共模干扰或电源纹波的情况下，仍能保证输出信号的纯净度。
　　OP37GZ支持宽范围电源供电（±10V至±22V），兼容多种双电源系统设计，并能在-55°C至+125°C的极端温度区间内正常工作，满足军用级和航天级应用的需求。其内部保护电路设计完善，具备短路保护和过载防护功能，增强了系统安全性。尽管该器件不属于零漂移架构（如斩波稳零型运放），但其综合性能在非零漂移类别中处于领先地位，常作为高端测试设备和精密传感器接口的核心元件。

OP37GZ广泛应用于对精度、稳定性和可靠性要求极高的领域。常见用途包括精密仪器仪表中的信号放大与调理，例如在数字万用表、示波器和频谱分析仪中作为前端增益级；在工业自动化系统中，用于压力、温度、应变片等传感器信号的高精度采集与放大；在医疗电子设备如心电图机、脑电图仪和血压监测装置中，负责微弱生物电信号的提取与增强，确保诊断数据的真实性和可靠性。
　　此外，该器件也常用于高性能音频设备中的前置放大器或有源滤波电路，因其低噪声和高保真特性可有效提升音质表现。在通信系统中，OP37GZ可用于中频信号处理、锁相环（PLL）环路滤波器以及自动增益控制（AGC）电路，发挥其高线性度和快速响应的优势。科研实验设备如锁相放大器、激光控制系统和精密电源反馈回路中也大量采用该型号，以实现亚微伏级信号的精确检测与控制。
　　由于其TO-99金属封装带来的高环境耐受性，OP37GZ特别适合部署于航空航天、深海探测、油田勘探等极端工况下的电子系统中。在这些场景下，常规塑料封装器件可能因温度循环、振动或湿度影响而失效，而OP37GZ则能持续稳定运行。同时，其高共模抑制能力和电源抑制能力使其在复杂电磁环境中依然保持良好性能，适用于高精度数据采集系统、模拟计算模块以及校准设备中的关键模拟节点。

OP37AZ
　　OP37BZ
　　OP37CZ
　　LT1028
　　AD797