时间：2025/6/11 18:20:31
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ZRA21MR60J476ME11L是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），适用于高效率电源转换和电机驱动等应用。该器件采用先进的制程技术，能够提供低导通电阻和快速开关性能，从而降低功耗并提升系统效率。
这款MOSFET为N沟道增强型，主要设计用于中高压应用场景。其封装形式紧凑，适合空间受限的设计环境。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：21A
导通电阻：47mΩ
栅极电荷：115nC
开关速度：快速
封装类型：TO-220
ZRA21MR60J476ME11L具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高负载电流下保持较低的功率损耗。
2. 快速开关能力，支持高频工作模式，减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
4. 内置防静电保护，提高了器件的抗干扰能力。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
6. 紧凑的封装设计，节省PCB布局空间。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 太阳能逆变器
5. 工业控制
6. 汽车电子中的辅助电源模块
7. LED照明驱动电路
8. 各类电力电子设备中的功率开关组件
