ZP-3H+ 时间：2025/12/28 14:16:44 阅读：19

ZP-3H+ 是一种高性能的射频（RF）功率晶体管，通常用于高频和高功率应用，如无线通信、广播和工业加热设备。它基于先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，能够提供高增益、高效率和良好的线性性能。ZP-3H+ 特别适用于UHF（超高频）频段，广泛用于基站放大器和其他射频功率放大系统中。

参数

类型：LDMOS射频功率晶体管
　　工作频率：典型用于UHF频段（400 MHz - 1 GHz）
　　输出功率：约300 W（脉冲模式）
　　漏极电压：最大65 V
　　增益：典型值为20 dB以上
　　效率：典型值为60%以上
　　输入驻波比（VSWR）：通常小于2.5:1
　　封装类型：典型的金属陶瓷封装，如SC-265或类似

特性

ZP-3H+ 具有优异的射频性能，包括高输出功率、高增益和高效率。该器件在UHF频段内表现出色，能够在高电压下稳定运行，并具有良好的热管理和耐久性。ZP-3H+ 的LDMOS技术使其在高功率条件下仍能保持良好的线性性能，适合需要高信号保真的应用。此外，它具有较高的可靠性，适用于长时间运行的工业和通信设备。
　　该晶体管的设计允许在较宽的频率范围内工作，同时保持较低的失真水平。ZP-3H+ 还具有良好的匹配能力，使得在电路设计时更容易实现高效的阻抗匹配。这在射频功率放大器的设计中是非常关键的特性。此外，该器件的耐用性使其在高温和高功率条件下仍能保持稳定运行，延长了设备的使用寿命。