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DTC144TKAT146 发布时间 时间:2025/12/25 11:13:08 查看 阅读:9

DTC144TKAT146是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的数字晶体管,也被称为带阻晶体管。该器件内部集成了一个双极结型晶体管(BJT)和两个精密电阻,其中一个串联在基极,另一个连接在基极与发射极之间作为下拉电阻。这种集成化设计简化了电路布局,减少了外部元件数量,提高了系统的可靠性,并且便于实现开关和驱动功能。DTC144TKAT146属于NPN型数字晶体管,采用SOT-23小型表面贴装封装,适用于高密度PCB布局和自动化贴片生产。该器件广泛用于便携式电子设备、通信模块、消费类电子产品以及工业控制领域中的信号切换、LED驱动、逻辑电平转换等应用。
  由于其内置的电阻网络,用户无需额外计算偏置电阻值,可以直接通过输入电压控制晶体管的导通与截止状态。这使得DTC144TKAT146特别适合于微控制器I/O口扩展、低功耗开关电路及噪声抑制场合。此外,该器件具有良好的温度稳定性和快速响应能力,能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。

参数

类型:NPN
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  集电极电流(IC):100mA
  功率耗散(Pd):200mW
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  存储温度范围:-55°C ~ +150°C
  基极-发射极电压(VEBO):6V
  集电极截止电流(ICEO):50nA
  直流电流增益(hFE):70 ~ 700
  输入电阻(R1):47kΩ
  下拉电阻(R2):47kΩ
  过渡频率(fT):250MHz
  封装类型:SOT-23

特性

DTC144TKAT146的最主要特性在于其高度集成的结构设计,将一个NPN晶体管与两个精确匹配的片上电阻集成在同一芯片内,从而显著简化了外围电路设计。其中,基极限流电阻R1为47kΩ,用于限制输入电流并保护驱动源;而基极-发射极间的下拉电阻R2同样为47kΩ,确保在无输入信号时晶体管可靠地处于关闭状态,防止因悬空引脚导致的误触发问题。这种配置增强了电路的抗干扰能力和稳定性,尤其适用于数字开关系统中对噪声敏感的应用场景。
  该器件具备优良的开关特性,开启和关断时间短,能够支持较高的工作频率,适合用于脉冲信号处理和高速逻辑控制。同时,由于采用了先进的硅外延平面工艺制造,DTC144TKAT146表现出优异的温度稳定性,在极端环境温度下仍能维持稳定的电气参数。其最大集电极电流可达100mA,足以驱动小型继电器、LED指示灯或低功率负载。此外,50V的集电极-发射极耐压能力使其可兼容多种电源电压等级的系统,如3.3V、5V乃至部分12V控制系统。
  SOT-23封装不仅体积小巧,节省PCB空间,而且热阻较低,有利于散热管理。该器件符合RoHS环保标准,不含铅等有害物质,适用于绿色电子产品设计。批量生产时可通过自动贴片机进行高速装配,提升生产效率。整体来看,DTC144TKAT146以其高集成度、高可靠性与易用性,成为现代电子设计中理想的开关元件之一。

应用

DTC144TKAT146主要应用于需要简单、高效开关控制的电子电路中。常见用途包括微控制器输出端口的负载驱动,例如用于驱动LED背光、蜂鸣器或小型继电器模块。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备中,它常被用来实现按键指示灯控制、电源状态切换或传感器信号调理等功能。
  在通信设备中,该器件可用于逻辑电平转换电路,适配不同电压域之间的数字信号传输,比如将3.3V MCU信号转换为5V兼容输出。此外,在工业自动化控制系统中,DTC144TKAT146可作为光电耦合器的前置驱动级,提高隔离电路的响应速度与驱动能力。由于其内置电阻提供了固定的输入阻抗,因此也广泛用于总线缓冲、门控信号生成以及复位电路中。
  该器件还适用于电池供电的便携式设备,因其静态功耗低、响应速度快,有助于延长设备续航时间。在汽车电子系统中,尽管其功率等级有限,但仍可用于非关键性的小信号控制回路,如车内照明控制、仪表盘指示灯驱动等。总之,凡是需要以最少元件实现可靠开关功能的场合,DTC144TKAT146都是一个极具性价比的选择。

替代型号

MMBT144T, DTC144TCA, DTC144WKA, KSH144DTBU

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DTC144TKAT146参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)47k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装3-SMT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTC144TKAT146-NDDTC144TKAT146TR