ZNBG3211Q20TC 时间：2025/5/7 9:58:07 阅读：6

ZNBG3211Q20TC是一款高性能的N沟道增强型MOSFET，适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺，确保了低导通电阻和高开关速度，从而提高效率并降低能耗。
　　其封装形式为TO-252（DPAK），适合表面贴装技术（SMT），并且符合RoHS标准，环保可靠。该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率管理的场景。

参数

漏源电压(Vds)：60V
　　连续漏极电流(Id)：20A
　　导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ
　　栅极电荷(Qg)：27nC
　　输入电容(Ciss)：1440pF
　　输出电容(Coss)：260pF
　　极间电容(Crss)：75pF
　　最大功耗(Pd)：110W
　　工作温度范围(Topm)：-55℃ to +175℃

特性

ZNBG3211Q20TC具有以下显著特性：
　　1. 低导通电阻（Rds(on)）设计能够有效减少导通损耗，提升整体效率。
　　2. 高速开关能力使其非常适合高频应用，例如开关电源和DC-DC转换器。
　　3. 强大的电流承载能力（Id=20A）支持大功率应用场景。
　　4. 紧凑的TO-252封装有助于节省PCB空间，并且便于自动化生产。
　　5. 宽泛的工作温度范围（-55℃至+175℃）确保在极端环境下依然保持稳定性能。
　　6. 符合RoHS标准，满足现代电子产品的环保要求。

应用

这款MOSFET主要应用于以下几个领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC转换器中的功率开关，用于实现高效的电压转换。
　　3. 电机驱动电路，控制直流无刷电机或其他类型电机的运行。
　　4. 各类负载开关场景，例如便携式设备中的电源管理。
　　5. 电池保护电路中作为充放电路径的控制元件。
　　6. 其他需要高效功率转换和开关的应用场合。