时间：2025/9/1 15:05:52
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H9HKNNNDGUMUBR-NMHR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第4代）系列，专为移动设备和高性能计算应用设计。LPDDR4以其低电压操作、高数据传输速率和能效比而闻名，适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及其他对功耗和性能有高要求的设备。
容量：8GB（64Gb）
架构：x16
类型：LPDDR4 SDRAM
工作电压：1.1V
数据速率：3200Mbps
封装类型：FBGA
封装尺寸：13mm x 11.25mm
温度范围：商业级（0°C 至 85°C）
H9HKNNNDGUMUBR-NMHR 采用先进的DRAM制造工艺，具备出色的低功耗特性，适合对电池寿命敏感的移动设备。其3200Mbps的数据速率能够提供高效的数据吞吐能力，满足高清视频、复杂图形处理和多任务处理的需求。该芯片支持多种节能模式，如自刷新（Self-Refresh）和深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），以进一步降低功耗。
此外，H9HKNNNDGUMUBR-NMHR 采用x16的组织结构，允许更高的数据带宽利用率。其封装尺寸为13mm x 11.25mm，符合紧凑型设计要求，适用于空间受限的设备。该芯片的温度范围为商业级（0°C至85°C），适用于大多数消费类电子产品的工作环境。
H9HKNNNDGUMUBR-NMHR 主要应用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及嵌入式计算平台。由于其高性能和低功耗特性，它也适用于需要高效内存处理能力的边缘计算设备、AR/VR头显、智能摄像头和车载信息娱乐系统（IVI）。此外，该芯片可用于工业级设备，如自动化控制系统和数据采集设备。
H9HKNNNDCTMUBR-NMHR, H9HKNNDCTMUBR-BC
