ZN2PD-9G-S 时间：2025/12/28 12:20:04 阅读：15

ZN2PD-9G-S是一款由Vishay Semiconductors生产的双通道P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的TrenchFET?技术制造，封装形式为双扁平无引脚（Dual Flat No-leads, DFN）封装，具体为1.6mm x 1.6mm的微型DFN1616D-6封装。该器件专为高效率、低电压、小尺寸应用设计，适用于便携式电子产品和空间受限的电路设计。ZN2PD-9G-S集成了两个独立的P沟道MOSFET，使得在单一封装中实现双路控制或负载开关成为可能，从而节省PCB面积并简化布局。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和良好的热性能，广泛用于电源管理、电池供电设备、负载切换、电源多路复用以及DC-DC转换器等应用领域。其额定电压为-20V，最大连续漏极电流为-1.8A（每个通道），适合在-40°C至+125°C的结温范围内稳定工作，满足工业级温度要求。

参数

产品类型：双P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-1.8A（每个通道）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-3.6A
　　导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -4.5V：≤ 110mΩ（典型值）
　　导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -2.5V：≤ 140mΩ（典型值）
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.6V 至 -1.0V
　　输入电容（Ciss）：约 220pF
　　输出电容（Coss）：约 170pF
　　反向传输电容（Crss）：约 40pF
　　开启时间（ton）：约 8ns
　　关断时间（toff）：约 15ns
　　工作结温范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：DFN1616D-6（1.6mm x 1.6mm）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

特性

ZN2PD-9G-S采用Vishay先进的TrenchFET?沟道技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统整体效率。在-4.5V的栅极驱动电压下，其最大RDS(on)仅为110mΩ，而在更低的-2.5V驱动下也能保持在140mΩ以下，这使其非常适合使用3.3V或5V逻辑电平直接驱动的应用场景，无需额外的电平转换电路。该器件的低阈值电压特性（典型值-0.8V）确保了在低电压条件下仍能可靠开启，增强了在电池供电系统中的适用性。
　　该MOSFET的双通道设计允许用户在一个紧凑的DFN封装内集成两个独立的P沟道开关，有效节省宝贵的PCB空间，特别适用于智能手机、可穿戴设备、物联网终端等对体积敏感的产品。DFN封装还具备优异的热传导性能，底部散热焊盘可将热量高效传递至PCB，提升功率处理能力。此外，器件具有较低的输入和输出电容，有助于减少开关过程中的动态损耗，加快开关速度，提高电源系统的响应性能。
　　ZN2PD-9G-S符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适用于绿色电子产品的制造。其坚固的结构设计和严格的生产测试流程确保了高可靠性和长寿命。器件还具备良好的抗静电能力（HBM ESD rating ≥ 2kV），提升了在生产和使用过程中的鲁棒性。由于其对称的双通道特性，可用于双路负载开关、电源路径控制或作为同步整流器中的上管开关，在电池管理系统、USB电源开关、热插拔控制器等电路中表现优异。

应用

ZN2PD-9G-S广泛应用于需要小型化和高效率电源管理的电子系统中。常见应用场景包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能手表和无线耳机中的电源开关和负载管理模块。它可用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机或动态电源分配。在电池供电系统中，该器件常被用于电池与主电源之间的切换电路，或作为备用电源的切换开关，确保系统在主电源失效时能够无缝切换到备用电源。
　　此外，该器件也适用于各类DC-DC转换器电路，特别是在Buck转换器中作为高端开关使用，利用其低导通电阻降低功耗。在热插拔控制器设计中，ZN2PD-9G-S可用于限制浪涌电流，保护后级电路免受冲击。其双通道结构还可用于构建双路独立的电源路径控制，例如在多电池系统或多电压域系统中进行电源选择与隔离。工业传感器、医疗可穿戴设备和低功耗物联网节点也是其典型应用领域，凭借其小尺寸和低静态电流特性，有助于延长设备续航时间。