时间：2025/8/14 1:26:22
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LMBR3150FT1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的表面贴装肖特基势垒整流器。该器件设计用于高效率、低电压整流应用，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及反向电压保护电路等场景。其主要特点包括低正向电压降（VF）、高浪涌电流能力和紧凑的封装形式。
最大重复峰值反向电压（VRRM）：150V
最大平均整流电流（IF(AV)）：3A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：75A
正向电压降（VF）：0.43V（典型值，IF=3A时）
反向漏电流（IR）：10μA（最大值，VR=150V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
存储温度范围：-65°C至+150°C
封装类型：DPAK（TO-252）
安装类型：表面贴装（SMD）
LMBR3150FT1G的主要特性包括高效的肖特基整流技术，提供较低的正向电压降，从而减少功率损耗并提高系统效率。
该器件具有高达75A的峰值浪涌电流能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击，适用于电源开关或突波电流较大的应用环境。
LMBR3150FT1G采用DPAK（TO-252）封装，具有较小的尺寸和良好的热性能，适合在空间受限的设计中使用。
器件的反向漏电流非常低，在高温条件下仍能保持稳定的性能，确保在高可靠性要求的应用中运行安全可靠。
其工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适应各种工业和汽车电子应用的苛刻环境。
LMBR3150FT1G广泛应用于各类电子设备中，如电源适配器、DC-DC转换器、电池充电器、负载开关、反向电压保护电路等。
在汽车电子系统中，它可用于车载充电器、车身控制模块、照明系统等场合，提供高效稳定的整流功能。
此外，该器件也适用于通信设备、工业控制系统、消费类电子产品以及太阳能逆变器等应用领域，满足对高效率和高可靠性的需求。
LMBR3150FT3, LMBR3150WT1G, MBRS3150T3G, S3BDT-HC4
