齐纳电压（Vz @ Izt）：4.7V @ 5mA
　　最大耗散功率（Pd）：300mW
　　最大齐纳电流（Izm）：63mA
　　齐纳电压容差：±5%
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOD-123
　　引脚数：2
　　最大反向漏电流（Ir @ Vr）：100nA @ 1V
　　最大齐纳阻抗（Zzt @ Izt）：90Ω @ 5mA

ZMM55C4V7-F 具有良好的电压稳定性和温度系数，能够在广泛的温度范围内保持齐纳电压的稳定性。其 SOD-123 封装形式小巧，适用于高密度 PCB 设计，同时支持自动化贴片工艺，提高了生产效率。
　　该器件的齐纳电压容差为 ±5%，在大多数电压调节应用中具有足够的精度。此外，ZMM55C4V7-F 的最大耗散功率为 300mW，可在较宽的电流范围内提供稳定的电压输出。
　　由于采用了先进的硅扩散工艺，ZMM55C4V7-F 在反向击穿状态下具有良好的导通特性和低动态阻抗，确保了在负载变化时输出电压的稳定性。此外，该器件的反向漏电流非常低，在 1V 反向电压下仅为 100nA，适用于对漏电流要求较高的精密电路。
　　ZMM55C4V7-F 还具有良好的瞬态响应能力，能够在短时间内响应输入电压的变化，适用于电源波动较大的应用环境。

ZMM55C4V7-F 主要用于电压调节和参考电压生成，适用于各类模拟和数字电路设计。在电源管理系统中，它可用于为 ADC、DAC 或比较器提供稳定的参考电压；在电池供电设备中，可作为电压监控电路的一部分，确保系统在电压下降时能够及时做出响应。
　　此外，ZMM55C4V7-F 也可用于过压保护电路、稳压二极管偏置电路、信号调理电路以及各种嵌入式系统中的电压基准源。由于其封装小巧、性能稳定，该器件特别适用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑、穿戴设备以及工业控制设备中的电压调节应用。

MMZ55C4V7T1G, BZT55C4V7, MMSZ55C4V7T1G