类型：齐纳二极管
　　标称齐纳电压：3.9V
　　最大齐纳电流：200mA
　　最大耗散功率：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD523

ZMM55B3V9具备多项优良特性，使其在电压参考和稳压电路中表现出色。
　　首先，该器件具有较高的电压精度，齐纳电压公差通常为±2%以内，这使得它非常适合用于对电压稳定性要求较高的应用。其动态电阻较低，有助于在负载变化时保持稳定的输出电压。
　　其次，ZMM55B3V9采用了SOD523封装，这是一种小型表面贴装封装，适合用于空间受限的电路板设计。该封装还具有良好的热性能，能够在较宽的温度范围内稳定工作。
　　此外，该齐纳二极管的工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，使其适用于工业级和汽车电子应用。其存储温度范围也为-65°C到+150°C，确保在极端环境下的可靠性。
　　最后，ZMM55B3V9的最大耗散功率为300mW，最大齐纳电流为200mA，使其在低功耗电路中表现出色，适用于便携式设备和电池供电系统。

ZMM55B3V9广泛应用于需要稳定电压参考的各种电子电路中。其主要用途包括电源管理电路中的参考电压源、模拟电路中的偏置电压设置、以及ADC和DAC等精密模拟器件的电压基准。此外，该器件也常用于电压调节器、稳压电路、过压保护电路以及各种传感器接口电路中。由于其小尺寸和优异的电气性能，ZMM55B3V9也非常适合用于消费类电子产品、工业自动化设备、汽车电子系统以及通信设备中。

ZMM55C3V9, BZX84C3V9, MM3Z3V9