时间：2025/6/25 11:15:20
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RB751VM-40TE-17是一款高效率、低功耗的MOSFET功率晶体管，采用TO-263封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。其设计旨在提供卓越的性能和可靠性，同时支持大电流和高电压的应用场景。
RB751VM-40TE-17的核心优势在于其较低的导通电阻（Rds(on)），从而显著减少能量损耗并提高整体效率。此外，它还具有快速开关速度和良好的热稳定性，适用于多种工业及消费类电子设备。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：1.7mΩ
总功耗(Ptot)：115W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-263
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低传导损耗。
2. 高电流处理能力，可承受高达80A的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，优化了动态性能并减少了开关损耗。
4. 优秀的热性能表现，确保在高负载条件下稳定运行。
5. 宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境应用需求。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器和降压/升压电路中的核心元件。
3. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
4. 负载切换和保护电路中的电子开关。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品中的高效功率转换解决方案。
RB751VM-40TE-18, IRFZ44N, FDP5500NL
