类型：稳压二极管
　　标称电压：3.3V
　　测试电流：5mA
　　最大耗散功率：300mW
　　封装类型：SOD-123
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　最大反向漏电流（VR=1V）：100nA
　　动态阻抗（Zzt）：25Ω（最大）
　　电压容差：±2%（标准）

ZMM55-C3V3T/R 稳压二极管具有多项优良特性，确保其在多种应用中的稳定性和可靠性。
　　首先，该器件采用了先进的硅半导体工艺制造，具有非常低的动态阻抗（Zzt），通常最大为 25Ω。低动态阻抗意味着当电流变化时，输出电压的变化非常小，从而保证了稳定的电压参考输出。
　　其次，ZMM55-C3V3T/R 的电压容差为 ±2%，提供较高的电压精度，适合用于对电压精度有较高要求的场合。在 5mA 的测试电流下，其稳压值保持在 3.3V，偏差极小，有助于提高电路的整体性能。
　　此外，该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具备良好的温度稳定性。在宽温度范围内，其电压随温度变化的系数较低，确保了在不同环境条件下的稳定工作。
　　ZMM55-C3V3T/R 采用 SOD-123 表面贴装封装，尺寸小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用。同时，该封装具有良好的热性能，能够有效散热，提升器件的可靠性。
　　该稳压二极管的最大耗散功率为 300mW，可在较宽的电流范围内工作。其最大反向漏电流在 1V 反向电压下不超过 100nA，确保在低功耗应用中的高效运行。
　　综上所述，ZMM55-C3V3T/R 凭借其低动态阻抗、高精度、宽温度范围和紧凑封装等特性，成为许多精密稳压应用的理想选择。

ZMM55-C3V3T/R 稳压二极管广泛应用于各种电子电路中，尤其是在需要稳定电压参考的场合。
　　它常用于电源管理电路中，作为基准电压源，为 ADC、DAC 或比较器等模拟电路提供精准的参考电压。在嵌入式系统、微控制器单元（MCU）和 FPGA 设计中，该器件可确保系统在不同负载条件下的稳定运行。
　　由于其高精度和稳定性，ZMM55-C3V3T/R 也广泛用于电池供电设备，如便携式仪器、无线模块和智能穿戴设备。在这些应用中，保持稳定的电压供应对于延长电池寿命和提高系统稳定性至关重要。
　　此外，该器件适用于电压钳位和保护电路，可防止敏感电子元件因过电压而损坏。在通信设备、工业控制系统和汽车电子系统中，ZMM55-C3V3T/R 也能发挥重要作用，确保系统在各种环境下的可靠运行。

BZT55-C3V3, MMSZ5226B, 1N4728A, LMVZ3.3