时间：2025/7/24 15:07:44
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ZLR644H2864GR564MT 是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高性能、低功耗、异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件主要用于需要高速数据存储和访问的应用，例如网络设备、工业控制、通信模块以及嵌入式系统。该SRAM芯片采用CMOS技术制造，具有较高的可靠性和稳定性，适用于宽温范围和工业级应用环境。
容量：64Mbit（8MB）
组织方式：x8或x16位宽
电源电压：2.3V至3.6V
访问时间：44ns（最大）
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装形式：564-ball Fine-Pitch Ball Grid Array（FBGA）
封装尺寸：54mm x 54mm
接口类型：异步SRAM接口
最大工作频率：约22MHz（取决于访问时间）
功耗：典型工作电流约120mA，待机电流低于10mA
ZLR644H2864GR564MT 是一款高性能异步SRAM芯片，具有大容量和低功耗的特点。该芯片支持异步接口，允许在不需要时钟同步的情况下进行数据读写操作，适用于多种嵌入式系统和通信设备。其高容量64Mbit（8MB）可满足对存储空间有较高要求的应用，例如缓存、图像存储和高速数据缓冲。芯片采用先进的CMOS工艺制造，具备良好的抗干扰能力和稳定性，能够在工业级宽温环境下稳定运行（-40°C至+85°C）。此外，其低待机电流设计有助于降低系统功耗，提高能效。FBGA封装形式不仅节省空间，还提高了电气性能和散热能力，适用于紧凑型高密度电路设计。
ZLR644H2864GR564MT 广泛应用于对数据存储速度和容量有较高要求的电子系统中。例如，它可用于网络设备中的高速缓存、工业控制系统的实时数据处理、嵌入式系统的临时数据存储、视频采集和处理模块中的图像缓冲、以及高端通信设备中的协议转换和数据暂存。此外，该芯片也适用于航空航天、医疗仪器、测试设备等对可靠性和稳定性要求极高的工业级应用场景。
IS64WV648H2864BLL
