ZLNB101N8 时间：2025/9/12 10:05:54 阅读：8

ZLNB101N8 是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的低噪声放大器（LNA，Low Noise Amplifier）芯片，专为高性能射频（RF）和微波应用设计。该器件采用8引脚的DFN封装，具备高线性度、低噪声系数和宽频率范围等优点，适用于各种无线通信系统中的前端接收电路。

参数

工作频率范围：10 MHz 至 6 GHz
　　噪声系数（NF）：0.65 dB（典型值）
　　增益：17 dB（典型值）
　　输出三阶交调截点（OIP3）：35 dBm
　　输入驻波比（VSWR）：1.3:1（典型值）
　　工作电压：3.3 V
　　工作电流：45 mA（典型值）
　　封装类型：8-DFN

特性

ZLNB101N8 具备出色的低噪声性能和高增益特性，能够在广泛的频率范围内（10 MHz 至 6 GHz）提供稳定的放大效果。其噪声系数仅为0.65 dB，确保了信号在接收过程中的高保真度，适用于对噪声要求极高的通信系统。此外，该芯片的OIP3达到35 dBm，表明其具有良好的线性性能，能够有效减少信号失真和干扰。ZLNB101N8 还集成了内部匹配网络，减少了外部电路的设计复杂度，提高了系统集成的便利性。
　　在电源方面，ZLNB101N8 仅需单一的3.3 V电源供电，典型工作电流为45 mA，功耗较低，适合用于对功耗敏感的便携式设备和基站系统。其8引脚DFN封装形式具备良好的热性能和空间效率，便于在高密度PCB布局中使用。此外，该芯片内置射频输入/输出匹配网络，简化了外围电路设计，降低了开发成本和时间。
　　ZLNB101N8 还具备良好的稳定性和抗干扰能力，可在复杂的电磁环境中保持稳定的工作状态。其高输入/输出驻波比（VSWR）特性确保了信号传输的高效性，减少了反射损耗。该芯片广泛应用于无线基础设施、Wi-Fi接入点、蜂窝通信、GPS接收器、工业控制系统和测试测量设备等高性能射频系统中。