2SK2640是一款由东芝(Toshiba)公司生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管。该器件专为高效率、高频率的开关应用设计,具有较低的导通电阻和快速的开关特性。2SK2640常用于电源转换、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用中。该MOSFET采用TO-220封装形式,具备良好的热稳定性和较高的可靠性,适用于各种工业和消费类电子设备。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):200V
栅源电压(Vgs):±30V
连续漏极电流(Id):17A(在Tc=25℃)
导通电阻(Rds(on)):0.095Ω(最大值)
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220
功率耗散(Pd):150W
2SK2640的主要特性包括低导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗并提高整体效率。其0.095Ω的最大导通电阻使得该器件在高电流应用中依然能够保持较低的功耗,从而减少发热并提高系统的可靠性。
该MOSFET具备较高的耐压能力,漏源电压可达200V,适合中高功率的应用场合。同时,其栅源电压为±30V,具有较强的抗过压能力,适用于多种栅极驱动电路设计。
2SK2640采用了高速开关技术,能够在高频率下稳定工作,适用于开关电源、DC-DC转换器等高频应用。其快速的开关特性有助于减少开关损耗,提高电源转换效率。
该器件采用TO-220封装,具有良好的散热性能和机械稳定性。TO-220封装也便于安装在散热片上,从而进一步提升其在高功率应用中的热管理能力。
此外,2SK2640的工作温度范围为-55℃至+150℃,适应了广泛的环境温度变化,适合工业级应用。其150W的功率耗散能力也使其在高负载条件下能够保持稳定运行。
2SK2640广泛应用于多种电力电子系统中,特别是在需要高效率和高频率开关的场合。常见应用包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及太阳能逆变器等。
在电源管理系统中,2SK2640可用作主开关元件,负责高效的能量转换。其低导通电阻和高耐压能力使其成为高功率密度电源设计的理想选择。
在电机控制和驱动电路中,2SK2640可用于H桥结构中的开关元件,实现对直流电机或步进电机的精确控制。其高速开关特性也有助于降低电机运行时的噪音和振动。
此外,该MOSFET也适用于电池供电设备中的负载开关,能够在待机模式下有效切断电源,减少待机功耗。
2SK2640的替代型号包括:IRFZ44N、2SK2687、2SK2896、SiHF60N20E