类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-4.4A（@ VGS = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　导通电阻（RDS(on)）：33mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：46mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：320pF（@ VDS = 10V）
　　开启时间（Ton）：~15ns（典型值）
　　关断时间（Toff）：~25ns（典型值）
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：SOT-23 (SC-59)

ZLLS410TA采用先进的沟槽式MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其关键特性之一是在低栅极驱动电压下仍能保持良好的导通能力，例如在-4.5V和-2.5V的栅源电压下分别可实现33mΩ和46mΩ的RDS(on)，这使得它非常适合3.3V或更低逻辑电平控制的应用场景。这种低电压驱动能力减少了对外部驱动电路的需求，尤其适用于由微控制器直接控制的电源管理系统。
　　该器件具有快速的开关响应时间，开启时间约为15ns，关断时间约为25ns，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。同时，其输入电容仅为320pF左右，降低了驱动所需的能量，进一步提升了高频工作的可行性。ZLLS410TA还具备良好的热稳定性，即使在高负载条件下也能维持稳定的电气性能，避免因温度上升导致的性能下降问题。
　　在可靠性方面，ZLLS410TA经过严格的生产测试和质量控制流程，确保在-55°C至+150°C的宽结温范围内可靠运行，满足工业和消费类电子产品的严苛环境要求。其SOT-23封装不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴片组装，提高了生产效率。此外，该器件具备出色的抗静电能力（ESD保护），增强了在实际操作和焊接过程中的耐用性。综合这些特性，ZLLS410TA成为众多小型化、高效率电源设计中的优选方案。

ZLLS410TA广泛应用于各类低电压、高效率的电源管理场合。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能待机或热插拔保护。其P沟道结构特别适合用作高端开关，在电源路径管理中可以直接由逻辑信号控制，无需复杂的驱动电路，从而简化设计并降低成本。
　　在电池供电系统中，ZLLS410TA可用于电池反接保护、充放电控制以及多电源选择切换电路。由于其低导通电阻和低静态电流特性，能够有效减少功率损耗，延长电池续航时间。此外，该器件也常用于DC-DC转换器的同步整流部分，尤其是在降压（Buck）拓扑中作为上管使用，提升转换效率。
　　其他应用场景还包括电源多路复用器、热插拔控制器、LED驱动电路以及各种需要快速开关响应的小信号开关电路。得益于其小型封装和高性能表现，ZLLS410TA在空间受限但对性能有较高要求的设计中尤为受欢迎，如物联网终端、无线传感器节点和微型电源适配器等。

ZXM61P02TC
　　FDD8858
　　SI2301DS
　　DMG2301U