类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：180V
　　最大连续漏极电流（Id）：15A
　　脉冲漏极电流（Idm）：60A
　　栅源电压范围（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤80mΩ @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：2500pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：500pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：典型值35ns
　　最大功耗（Pd）：150W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-247

ZJSM-R15-180-T具备出色的动态与静态电气性能，其核心优势在于低导通电阻与高耐压能力的结合，能够在180V的工作电压下保持较低的导通损耗，显著提升系统效率。该器件采用优化的元胞布局与场板结构设计，有效抑制了短沟道效应和热载流子退化现象，延长了使用寿命。其Rds(on)在高温条件下仍能维持相对稳定，确保在满载运行时不会因温升导致性能急剧下降。同时，该MOSFET具有较高的雪崩能量承受能力，可通过非钳位感性负载测试（UIS），适用于存在较大反电动势的应用场景，如电机驱动和开关电源中的变压器复位过程。
　　在开关特性方面，ZJSM-R15-180-T展现出快速的开通与关断响应，配合较小的栅极电荷（Qg），可减少驱动电路的能量消耗，并支持更高的PWM调制频率，有助于缩小外围滤波元件体积，提升功率密度。其体二极管具备较短的反向恢复时间与较低的反向恢复电荷（Qrr），减少了开关瞬间的电流尖峰与电磁干扰（EMI），提升了系统的电磁兼容性。此外，TO-247封装提供了优良的热传导路径，使结到壳的热阻（Rth(j-c)）控制在较低水平，约为0.8°C/W，有利于热量快速传递至外部散热器，避免局部过热引发的失效。
　　该器件还具备良好的抗浪涌能力和长期可靠性，在高温反偏（HTRB）和高温高压栅极应力（HTGS）测试中表现优异，满足工业级与车规级应用的部分要求。其绝缘性能良好，漏电流极小，即使在接近最大工作电压时也能保持稳定的截止状态。综合来看，ZJSM-R15-180-T是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的中高压功率MOSFET，适用于对效率与稳定性有较高要求的电力电子系统。

ZJSM-R15-180-T广泛应用于多种中等功率电力电子变换装置中。在工业电源领域，它常用于AC-DC整流后的PFC（功率因数校正）电路，作为升压斩波开关，帮助实现高功率因数与低谐波畸变。在DC-DC变换器中，该器件可用于隔离式拓扑如正激、反激或LLC谐振变换器的初级侧开关，或非隔离式Boost/Buck电路中，承担能量传输的核心角色。在电机控制系统中，ZJSM-R15-180-T可作为三相逆变桥臂的一部分，驱动中小型交流感应电机或永磁同步电机，常见于变频空调、伺服驱动器和自动化设备中。
　　在新能源领域，该器件适用于小型光伏并网逆变器或离网储能系统的DC-AC逆变部分，将太阳能电池板或蓄电池提供的直流电高效转换为交流电输出。同时，也可用于电动汽车车载充电机（OBC）的辅助电源模块或DC-DC转换级，提供稳定可靠的电压调节。此外，在感应加热设备如电磁炉、金属熔炼装置中，ZJSM-R15-180-T凭借其高频开关能力与低损耗特性，能够胜任谐振逆变电路中的主开关元件，实现高效的能量耦合与加热控制。
　　其他应用场景还包括不间断电源（UPS）、医疗电源、LED恒流驱动电源以及各类开关模式电源（SMPS）中。由于其具备较强的抗冲击能力与宽温工作范围，特别适合部署在环境条件较为恶劣的工业现场或户外设备中，保障系统长时间稳定运行。

STP16NF180
　　IRFSL180PBF
　　FQP15N18