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2SD1664T100Q 发布时间 时间:2025/5/22 8:54:54 查看 阅读:8

2SD1664T100Q是一款NPN型双极性晶体管,广泛应用于功率放大和开关电路中。该型号属于东芝(Toshiba)半导体的产品线,具有高增益、低饱和电压的特点,适合用于音频功率放大器、电机驱动以及其他需要高性能开关的场景。
  该晶体管采用TO-252表面贴装封装形式,能够满足紧凑型设计需求,并且具备较高的电流承载能力。

参数

集电极-发射极电压:80V
  集电极电流:10A
  直流电流增益(hFE):30至120
  功率耗散:75W
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装类型:TO-252

特性

2SD1664T100Q拥有卓越的电气性能和可靠性,其主要特性如下:
  1. 高电流处理能力,适用于大功率应用环境。
  2. 较低的饱和电压,有助于减少功率损耗并提高效率。
  3. 稳定的直流增益,能够在宽泛的工作条件下保持一致的性能。
  4. 表面贴装封装,便于自动化生产与安装,同时节省空间。
  5. 支持高温操作,确保在恶劣环境下仍能正常工作。

应用

这款晶体管适合多种电子设备中的功率控制和信号放大功能。具体应用包括:
  1. 音频功率放大器中的输出级驱动。
  2. 电机控制及驱动电路。
  3. 开关电源和稳压器中的开关元件。
  4. 继电器驱动和负载切换。
  5. 工业控制系统的功率管理模块。

替代型号

2SD1664, 2SD1664T, 2SD1664T100

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2SD1664T100Q参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)32V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 100mA,3V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换150MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装MPT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2SD1664T100Q-ND2SD1664T100QTR