制造商: Microsemi（现为L3Harris Technologies的一部分）
　　类型: 硅双极型射频功率晶体管
　　最大工作频率: 500 MHz
　　最大集电极-发射极电压（Vce）: 60 V
　　最大集电极电流（Ic）: 15 A
　　最大功率耗散（Ptot）: 350 W
　　输出功率（典型值）: 35 W @ 175 MHz
　　增益（Gp）: 10 dB @ 175 MHz
　　封装类型: TO-247（3引脚）

ZI-SI035-V03 采用硅双极型晶体管结构，具有优异的线性和高增益性能，适用于宽带射频放大应用。
　　该器件能够在高达500MHz的频率下稳定工作，确保在各种通信和工业设备中的适用性。
　　其高输出功率能力（最高可达35W）使其非常适合需要高功率输出的系统，如广播发射机和工业加热装置。
　　ZI-SI035-V03 具有良好的热管理和稳定性，在高温环境下仍能维持高效运行，延长设备的使用寿命。
　　此外，该晶体管具备较低的失真水平，有助于提升信号质量和系统整体性能。
　　采用TO-247封装，便于安装和散热，提高了系统的可靠性和维护便利性。

ZI-SI035-V03 主要用于以下应用场景：
　　射频功率放大器：适用于通信基站、广播发射机和无线基础设施设备中的射频信号放大。
　　工业加热设备：用于射频加热和焊接设备，提供稳定高效的功率输出。
　　雷达系统：适用于雷达发射机中的高功率射频信号放大。
　　医疗设备：如射频消融设备中，用于精确控制和高效的射频能量传输。
　　测试和测量仪器：用于射频测试设备中的信号放大和模拟射频环境。

ZI-SI035-V02, MRF151G, BLF188XR, 2SC2879