型号：IRGPC50MD2
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道
　　漏源电压VDS：600 V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：11 A
　　脉冲漏极电流IDM：44 A
　　功耗PD：200 W
　　导通电阻RDS(on) max @ 10V VGS：0.23 Ω
　　导通电阻RDS(on) max @ 4.5V VGS：0.27 Ω
　　栅极阈值电压VGS(th)：2.1 V ~ 4.0 V
　　输入电容Ciss：1400 pF
　　输出电容Coss：550 pF
　　反向传输电容Crss：55 pF
　　总栅极电荷Qg（@10V）：78 nC
　　上升时间tr：90 ns
　　下降时间tf：65 ns
　　体二极管反向恢复时间trr：37 ns
　　工作结温范围Tj：-55 °C ~ +150 °C
　　封装/外壳：TO-247

IRGPC50MD2采用了英飞凌领先的CoolMOS? CFD系列中的超级结（Super Junction）架构，这一技术通过交替排列的P型和N型柱状区域实现极高的掺杂浓度，在维持高击穿电压的同时显著降低导通电阻。相比传统的平面型或沟槽型MOSFET，这种结构大幅提升了器件的品质因数（FOM = RDS(on) × Qg），使得在相同封装下能够提供更高的效率和功率密度。该器件在600V额定电压下的RDS(on)仅为230mΩ，确保了在大电流工作时的低传导损耗，特别适用于连续导通模式（CCM）PFC电路和LLC谐振转换器等对效率要求严苛的应用场景。
　　另一个关键特性是其出色的动态性能。IRGPC50MD2具有较低的栅极电荷（Qg = 78nC）和输出电容（Coss = 550pF），这直接减少了开关过程中的驱动损耗和能量损耗，有助于提升开关频率至数百kHz级别而不显著增加温升。同时，其反向恢复时间（trr = 37ns）较短且体二极管软度良好，有效抑制了关断时的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高了系统的稳定性与安全性。此外，该MOSFET具备优秀的热阻特性（RthJC ≈ 0.63°C/W），配合TO-247封装的大面积金属背板，可实现高效的热量传导至散热器，保障长时间高负载运行下的可靠性。
　　从可靠性角度看，IRGPC50MD2经过严格的雪崩测试，具备一定的单脉冲雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压情况下避免永久性损坏。其栅氧化层经过强化处理，提高了抗静电放电（ESD）和过压冲击的能力。器件还支持高速开关操作，即使在硬开关拓扑中也能保持稳定性能。综合来看，IRGPC50MD2不仅在电气参数上表现出色，还在热管理、可靠性和电磁兼容性方面进行了全面优化，是一款适用于高端电源设计的理想选择。

IRGPC50MD2广泛应用于各类高效率、高频率的开关电源系统中。典型用途包括通信电源和服务器PSU中的有源功率因数校正（PFC）级，尤其是在连续导通模式（CCM）Boost PFC电路中作为主开关管使用，凭借其低RDS(on)和低Qg特性，显著提升系统效率并减少散热需求。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于DC-DC升压 stage 或辅助电源模块，帮助实现更高的能量转换效率和更紧凑的设计。此外，它也常见于工业级AC-DC开关电源、大功率LED照明驱动电源以及 uninterruptible power supplies (UPS) 等设备中。
　　在LLC半桥或全桥谐振转换器中，IRGPC50MD2可作为初级侧开关器件，在高频（100kHz以上）条件下实现零电压开关（ZVS），进一步降低开关损耗。其快速的开关响应和低输出电容使其非常适合这类软开关拓扑。同时，由于其具备较强的电流承载能力和良好的热稳定性，也可用于电机驱动中的高压侧开关、电池管理系统（BMS）中的充放电控制模块以及其他需要600V耐压等级的中等功率电力电子装置。
　　此外，IRGPC50MD2还适用于各种离线式反激变换器（Flyback Converter）和正激变换器（Forward Converter）中，特别是在要求高效率和高功率密度的适配器和充电器设计中。其TO-247封装便于安装散热片，适合对散热要求较高的工业环境。总之，凡是需要在600V电压等级下实现高效、稳定、可靠开关操作的场合，IRGPC50MD2都是一个极具竞争力的解决方案。

IPW60R230CFD
　　STF6N60DM2
　　SPW60R230C3
　　FCH60R230A