型号：5NM70G-U2
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：700 V
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）：5.2 A（TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：20.8 A
　　功耗（PD）：50 W
　　导通电阻（RDS(on)）：1.0 Ω @ VGS = 10 V，ID = 2.6 A
　　阈值电压（VGS(th)）：3.0 ~ 5.0 V
　　输入电容（Ciss）：1000 pF @ VDS = 25 V
　　输出电容（Coss）：190 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：25 ns
　　工作温度范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DPAK (TO-252)

5NM70G-U2采用Nexperia先进的TrenchMOS工艺技术，具备出色的电气性能与可靠性，特别适用于高电压、高效率的开关电源应用。其核心优势之一是高达700V的漏源击穿电压，确保在高压环境中具备足够的安全裕度，尤其适合用于离线式AC-DC转换器和反激拓扑结构中。器件的低导通电阻（典型值1.0Ω @ VGS=10V）有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体能效，有助于实现紧凑型散热设计。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性，在结温升高的情况下仍能保持稳定的电气特性，且其DPAK封装具有较低的热阻（Rth(j-c) ≈ 2.5°C/W），便于通过PCB铜箔或外部散热片进行有效散热，延长器件使用寿命。此外，5NM70G-U2的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为45nC，这意味着驱动电路所需的驱动功率较小，有利于简化驱动设计并提升开关频率，从而减小磁性元件体积，提高电源功率密度。
　　器件还具备优异的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击，提升系统的鲁棒性和安全性。其快速的开关响应时间和较低的输出电容（Coss）进一步优化了高频开关性能，减少开关损耗。阈值电压范围合理（3.0~5.0V），兼容标准逻辑电平驱动信号，便于与PWM控制器直接接口。所有材料均符合RoHS指令要求，不含铅和有害物质，支持绿色环保设计理念。通过AEC-Q101认证也意味着其在汽车电子应用中具备长期运行的可靠性，可用于车载充电器、DC-DC变换器等场景。

5NM70G-U2广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适用于需要高电压隔离和高效能转换的场合。典型应用包括反激式（Flyback）和正激式（Forward）AC-DC适配器、离线式开关电源（SMPS）、LED恒流驱动电源、工业控制电源模块以及家用电器中的电源部分。由于其700V的高耐压能力，常被用于通用输入电压范围（85~265V AC）的电源设计中，能够应对电网波动带来的瞬时高压冲击，保障系统稳定运行。
　　在照明领域，该器件可用于高亮度LED路灯、商业照明和户外灯具的驱动电源，提供可靠的开关控制和高效的能量转换。在工业自动化设备中，如PLC电源、传感器供电单元和小型电机驱动电路中，5NM70G-U2也能发挥其高可靠性和良好热性能的优势。此外，得益于其通过AEC-Q101认证，该器件还可用于汽车电子系统中的辅助电源、车载逆变器或DC-DC转换器，满足车规级环境下的温度与振动要求。在消费类电子产品如电视、机顶盒、路由器等内置电源中，该MOSFET同样表现出色，支持小型化设计与高效运行。总之，凡是需要700V耐压、中等电流开关能力以及高可靠性的应用场景，5NM70G-U2都是一个极具竞争力的选择。

PFE700A, STP5NK70ZFP, FQP7N70, 2SK3569, HUF7N70G3