ZGC110TD47K8000是一款高精度的陶瓷电容器,采用多层陶瓷技术制造。该型号具有低ESR(等效串联电阻)和良好的高频特性,适合用于滤波、耦合、旁路等应用场景。其结构紧凑,适用于高密度组装环境,同时具备优良的温度稳定性和耐久性。
容量:47nF
额定电压:800V
容差:±10%
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装形式:径向引脚
尺寸:11.0mm x 10.0mm
介质材料:C0G (NP0)
绝缘电阻:≥1000MΩ
频率范围:DC 至 1GHz
ZGC110TD47K8000采用了先进的多层陶瓷工艺,使其在高频应用中表现出色。其C0G类介质确保了器件在宽温度范围内具有极高的稳定性,且容量漂移非常小。
此外,这款电容器还具有较低的寄生电感和优异的抗浪涌能力,非常适合用作电源滤波或射频电路中的关键元件。与传统铝电解电容器相比,它在体积更小的情况下实现了更高的可靠性和性能。
该型号广泛应用于各种工业和消费电子领域,包括但不限于以下场景:
- 高频开关电源中的滤波
- 射频模块中的信号耦合与解耦
- 数字电路中的去耦电容
- 工业控制设备中的噪声抑制
- 医疗设备中的精密信号处理
由于其高耐压特性和稳定的电气性能,也常用于电力电子、通信基站以及航空航天领域的严苛环境中。
KEMET C1208C47N8GACD, TDK C3216X5R1C474K125AA, AVX 08052C474KAAT-ND