您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > ZGC110TD47K8000

ZGC110TD47K8000 发布时间 时间:2025/6/6 14:41:49 查看 阅读:4

ZGC110TD47K8000是一款高精度的陶瓷电容器,采用多层陶瓷技术制造。该型号具有低ESR(等效串联电阻)和良好的高频特性,适合用于滤波、耦合、旁路等应用场景。其结构紧凑,适用于高密度组装环境,同时具备优良的温度稳定性和耐久性。

参数

容量:47nF
  额定电压:800V
  容差:±10%
  工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
  封装形式:径向引脚
  尺寸:11.0mm x 10.0mm
  介质材料:C0G (NP0)
  绝缘电阻:≥1000MΩ
  频率范围:DC 至 1GHz

特性

ZGC110TD47K8000采用了先进的多层陶瓷工艺,使其在高频应用中表现出色。其C0G类介质确保了器件在宽温度范围内具有极高的稳定性,且容量漂移非常小。
  此外,这款电容器还具有较低的寄生电感和优异的抗浪涌能力,非常适合用作电源滤波或射频电路中的关键元件。与传统铝电解电容器相比,它在体积更小的情况下实现了更高的可靠性和性能。

应用

该型号广泛应用于各种工业和消费电子领域,包括但不限于以下场景:
  - 高频开关电源中的滤波
  - 射频模块中的信号耦合与解耦
  - 数字电路中的去耦电容
  - 工业控制设备中的噪声抑制
  - 医疗设备中的精密信号处理
  由于其高耐压特性和稳定的电气性能,也常用于电力电子、通信基站以及航空航天领域的严苛环境中。

替代型号

KEMET C1208C47N8GACD, TDK C3216X5R1C474K125AA, AVX 08052C474KAAT-ND