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2N3637S 发布时间 时间:2025/9/3 4:23:13 查看 阅读:14

2N3637S是一款NPN型硅双极晶体管,通常用于高频放大和开关应用。该器件采用TO-92封装,具有良好的高频响应和稳定性,适用于射频(RF)和中频(IF)放大器电路,以及其他需要高频性能的电子系统。该晶体管在设计上优化了过渡频率(fT)和电流增益带宽,以确保在较高频率下仍能保持良好的性能。

参数

类型:NPN双极晶体管
  封装类型:TO-92
  最大集电极电流(IC):100 mA
  最大集电极-发射极电压(VCE):30 V
  最大集电极-基极电压(VCB):30 V
  最大功耗(PD):300 mW
  过渡频率(fT):100 MHz
  电流增益(hFE):50~300(根据工作电流不同)
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C

特性

2N3637S具有优异的高频性能,适合用于射频和中频放大器电路。其高过渡频率(fT)达到100 MHz,使得该晶体管能够在较高的频率范围内维持良好的增益特性。此外,该器件的电流增益(hFE)范围较宽,从50到300不等,具体取决于集电极电流的大小,使其在多种放大和开关电路中具有良好的适用性。
  该晶体管采用标准的TO-92封装,体积小巧,便于安装和集成到各种电路板中。其最大集电极电流为100 mA,集电极-发射极和集电极-基极的最大电压均为30 V,使其适用于中等功率的放大和开关应用。最大功耗为300 mW,确保在正常工作条件下不会因过热而损坏。
  此外,2N3637S的工作温度范围为-55°C至+150°C,具有良好的热稳定性和可靠性,适用于工业和通信设备中的高温或低温环境。

应用

2N3637S广泛应用于射频(RF)和中频(IF)放大器电路,尤其在通信设备、无线接收器和发射器中表现出色。由于其高过渡频率和良好的增益特性,该晶体管也常用于前置放大器、信号放大模块以及高频开关电路。此外,它还可用于音频放大器、逻辑电路和数字开关应用中。

替代型号

2N3638, 2N3904, BC547

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