时间：2025/6/9 17:29:47
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ZGC021TD36K425是一种高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，能够有效提高系统的效率和可靠性。
该器件适用于大电流和高频应用场合，其封装形式和电气特性经过优化设计，可以满足多种工业和消费类电子产品的严格要求。
型号：ZGC021TD36K425
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：0.42Ω
功耗(Pd)：180W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
ZGC021TD36K425具有以下显著特点：
1. 高耐压能力，可承受高达650V的漏源电压，适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻，在额定条件下仅为0.42Ω，有助于减少传导损耗。
3. 快速开关特性，降低开关损耗并提升系统效率。
4. 优异的热稳定性，能够在极端温度范围内可靠运行。
5. 强大的过流保护能力，确保在异常情况下不会轻易损坏。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计，适合现代绿色电子产品需求。
ZGC021TD36K425适用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，包括适配器、充电器等。
2. DC-DC转换器，用于电压调节和功率管理。
3. 电机驱动电路，为各种电机提供高效驱动。
4. 工业控制设备中的功率切换模块。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统。
6. 各种需要高压、大电流处理能力的电子设备。
ZGC021TD36K426
ZGC021TD36K427
