时间：2025/6/20 14:20:25
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SI1315DL-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET? 第三代技术，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适合用于需要高效能和高频操作的应用场景。其封装形式为行业标准的表面贴装封装 TO-263 (DPAK)，能够提供卓越的热性能和电气性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（典型值）：15mΩ
栅极电荷：9nC
开关时间：ton=11ns, toff=17ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI1315DL-T1-GE3 的主要特性包括超低的导通电阻，这使得其在导通状态下产生的功耗极小。此外，其栅极电荷较低，有助于实现快速的开关转换，并降低驱动器的能量损耗。
Vishay 的 TrenchFET? 技术确保了器件具备优异的热稳定性和可靠性，同时支持高温运行环境下的长期使用。其封装设计符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电路板中。
这款 MOSFET 非常适合需要高效率和高频率工作的应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及 LED 照明驱动等。
SI1315DL-T1-GE3 广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于笔记本电脑适配器、工业电源、通信系统中的电源管理模块、电池供电设备中的负载开关和保护电路、LED 驱动器以及小型化电机驱动控制系统。
由于其高效的性能表现，它还被推荐用作便携式电子设备中的功率级元件，如智能手机和平板电脑中的充电管理单元。
SI1316DL-T1-GE3
IRLZ44N
FDP5570
AO3400
