ZFV-SR50 时间：2025/12/27 0:41:42 阅读：18

ZFV-SR50 是一款由 Vishay Semiconductor 推出的表面贴装（SMD）肖特基势垒二极管，专为高频、高效率整流和反向阻断应用设计。该器件采用先进的平面技术制造，具有低正向电压降和快速开关特性，适用于多种电源管理和信号处理电路。其封装形式为 SMC（DO-214AB），是一种广泛使用的表面贴装功率二极管封装，具备良好的散热性能和机械稳定性。ZFV-SR50 主要用于交流到直流转换器、续流二极管、极性保护电路以及 DC-DC 转换器中，尤其适合空间受限但需要高效能表现的应用场景。
　　该二极管的最大重复峰值反向电压（VRRM）为 50V，表明它可以安全地承受最高达 50V 的反向电压脉冲。其平均整流电流能力可达 3.0A，在适当的 PCB 散热设计下可维持稳定运行。由于采用了肖特基结构，它不具备传统 PN 结二极管的少数载流子存储效应，因此在关断时几乎没有反向恢复时间（trr），极大地减少了开关损耗，提升了系统整体效率。此外，该器件符合 RoHS 指令要求，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环保和可靠性的双重需求。

参数

型号：ZFV-SR50
　　类型：肖特基势垒二极管
　　封装：SMC (DO-214AB)
　　最大重复峰值反向电压 VRRM：50V
　　最大直流阻断电压 VR：50V
　　平均整流电流 I(AV)：3.0A
　　峰值非重复浪涌电流 IFSM：75A
　　正向压降 VF @ 3.0A：0.875V（典型值）
　　最大反向漏电流 IR @ 50V：400μA（最大值）
　　工作结温范围 TJ：-65°C 至 +150°C
　　储存温度范围 TSTG：-65°C 至 +150°C
　　热阻 junction-to-case RθJC：3.0 °C/W
　　反向恢复时间 trr：≤ 5ns（近似于零）

特性

ZFV-SR50 的核心优势之一是其低正向导通压降特性，这直接关系到功率损耗和热管理效率。在 3.0A 的工作电流下，其典型正向压降仅为 0.875V，显著低于传统硅整流二极管（通常在 1.0V 以上）。这一特性使得 ZFV-SR50 在大电流应用场景中表现出更低的能量损耗，从而提高了电源系统的整体转换效率。例如，在开关电源或 DC-DC 变换器中使用该器件作为输出整流元件，可以有效减少发热，降低对散热器的需求，进而缩小产品体积并提升可靠性。此外，低 VF 还意味着更少的 I2R 损耗，这对电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。
　　另一个关键特性是其极快的开关速度。由于肖特基二极管基于金属-半导体结而非 P-N 结，不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间几乎可以忽略不计（trr ≤ 5ns）。这意味着在高频开关操作中不会产生明显的反向恢复电流尖峰，避免了由此引发的电磁干扰（EMI）问题和额外的开关损耗。这对于现代高频率工作的电源拓扑如同步整流、反激式转换器和 LLC 谐振变换器至关重要。同时，快速响应能力也使其适用于高频信号解调和钳位电路。
　　该器件采用 SMC 封装，具有较大的焊盘面积以利于热传导，能够在良好布局的 PCB 上实现有效的散热管理。其机械强度高，抗热冲击能力强，适合自动化贴片生产和回流焊工艺。此外，产品经过严格的质量控制流程，确保批次一致性与长期可靠性。所有材料均符合 RoHS 和无卤素标准，支持绿色制造理念。

应用

ZFV-SR50 广泛应用于各类电力电子系统中，尤其是在需要高效、紧凑设计的场合。一个典型的应用是在 AC-DC 开关电源中的次级侧整流环节，特别是在低电压大电流输出的设计中，如 5V 或 12V 输出的适配器和充电器。在此类应用中，传统的快恢复二极管由于较高的 VF 值会导致较大功耗，而 ZFV-SR50 凭借其低正向压降优势，能够显著提升整机效率并减少散热负担。
　　在 DC-DC 降压（Buck）和升压（Boost）转换器中，该二极管常被用作续流或飞轮二极管，连接在电感与地之间，用于在主开关关闭期间提供连续电流路径。由于这些转换器通常工作在几十 kHz 到数 MHz 的频率范围内，普通二极管的反向恢复特性会引入严重损耗，而 ZFV-SR50 的近乎零反向恢复时间使其成为理想选择。
　　此外，该器件也可用于电池极性反接保护、太阳能板旁路二极管、电机驱动电路中的感应电压钳位以及各种类型的整流桥模块中。其 50V 的耐压等级恰好覆盖了许多低压工业控制系统和消费类电子产品的电压范围，因此具有很高的通用性和市场适应性。