工作频率：800 MHz 至 1000 MHz
　　插入损耗：典型值0.4 dB，最大0.6 dB
　　隔离度：典型值20 dB，最小18 dB
　　驻波比（VSWR）：输入端口 ≤1.30，输出端口 ≤1.35
　　平均功率容量：1 W
　　峰值功率容量：200 W（脉宽10 μs，占空比1%）
　　阻抗：50 Ω
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　尺寸：约3.2 mm × 1.6 mm × 1.0 mm
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C

ZFM-1WB+ 射频隔离器的核心特性在于其卓越的方向性控制能力和高效的能量传输效率。该器件利用铁氧体材料在恒定磁场下的非互易传播特性，使得射频信号只能单向通过，反向信号则被有效吸收衰减。这种非对称传输机制是保障射频系统稳定运行的关键。在正向传输路径中，ZFM-1WB+ 实现了极低的插入损耗，典型值仅为0.4 dB，确保主信号链路的能量损失最小化，这对于提高发射效率和降低系统功耗至关重要。同时，其高隔离度（典型20 dB）能够显著抑制从天线或负载端反射回来的信号，防止这些反射波对前级功率放大器造成损害或引发自激振荡。
　　该器件采用了村田先进的低温共烧陶瓷（LTCC）制造技术，结合内部精密磁路设计，实现了小型化与高性能的统一。其紧凑的3.2 mm × 1.6 mm × 1.0 mm封装使其非常适合高密度PCB布局，尤其适用于空间受限的便携式或模块化射频设备。此外，ZFM-1WB+ 具备出色的温度稳定性和长期可靠性，在-40°C至+85°C的工作温度范围内性能波动极小，适合部署于户外基站、车载通信等复杂温变环境中。器件还通过了严格的无铅焊接兼容性测试，支持回流焊工艺，便于自动化生产组装。
　　值得注意的是，ZFM-1WB+ 内置永久磁体，因此在安装时需注意避免与其他敏感磁性元件靠得太近，以防相互干扰。其1W的连续平均功率处理能力足以应对大多数民用通信应用，而高达200W的峰值功率耐受能力则使其适用于脉冲雷达或突发通信系统。整体而言，ZFM-1WB+ 凭借其高集成度、稳定电气性能和坚固的物理结构，成为现代射频前端设计中不可或缺的关键组件之一。

ZFM-1WB+ 主要应用于需要高可靠性和高效率射频前端保护的无线通信系统。最常见的使用场景包括移动通信基站中的功率放大器输出级，用于防止因天线失配或馈线故障引起的反射功率损坏昂贵的PA模块。在GSM、CDMA、LTE等蜂窝网络基础设施中，该隔离器常被集成于塔顶放大器（TMA）或远程射频单元（RRU）内，以增强系统鲁棒性。此外，它也被广泛用于点对点微波通信链路、无线中继器和广播发射设备中，提供稳定的信号隔离功能。
　　在专用无线系统领域，如公共安全通信（Police、Fire Department）、轨道交通调度通信等，ZFM-1WB+ 同样发挥着重要作用。这些系统对通信连续性和设备耐用性要求极高，隔离器的存在可有效避免因环境变化导致的阻抗失配问题，从而维持链路稳定。在雷达和电子战系统中，尤其是低功率脉冲雷达模块，ZFM-1WB+ 可用于收发开关（TR Switch）前后级，保护接收机前端不被强发射信号串扰，同时确保发射通路的低损耗传输。
　　除此之外，ZFM-1WB+ 还适用于各类测试测量仪器中的射频信号路径管理，例如频谱分析仪、信号发生器的输出保护电路。其小型化设计也使其成为无人机通信模块、卫星通信终端等空间受限平台的理想选择。随着5G扩展频段向低频延伸以及物联网（IoT）无线节点的普及，ZFM-1WB+ 的应用场景正在进一步拓展，尤其是在需要兼顾性能与体积的边缘计算通信节点中展现出良好适应性。

ZFM-1WA+
　　ZFM-2WB+
　　ADT16A1000H1