时间：2025/8/17 15:53:48
阅读：18
ZE6060-RCJ 是一款由 Zetex（现为 Diodes Incorporated 旗下品牌）生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于低电压、中等功率的开关应用，适用于负载开关、电源管理、DC-DC 转换器等场景。ZE6060-RCJ 采用 SOT-223 封装，具有良好的热性能和较高的可靠性，适合在紧凑型电子设备中使用。该器件在设计上优化了导通电阻和开关性能，以满足高效能和低功耗的需求。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：-60V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id（@25℃）：-1.6A
导通电阻 Rds(on)：1.3Ω @ Vgs = -10V / 1.8Ω @ Vgs = -4.5V
功率耗散：1.5W
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装形式：SOT-223
ZE6060-RCJ 的核心特性之一是其 P 沟道结构，使其适用于高边开关应用，例如在电源管理系统中用于控制正极的通断。该器件的漏源电压为 -60V，能够在中等高压环境下稳定工作，同时栅源电压容限为 ±20V，具备良好的栅极保护能力。
该 MOSFET 在 Vgs = -10V 时的导通电阻典型值为 1.3Ω，在 Vgs = -4.5V 时为 1.8Ω，表明其可以在较低的驱动电压下仍保持良好的导通性能，适用于由 5V 或更低电压供电的控制器驱动。
ZE6060-RCJ 的连续漏极电流为 -1.6A，在 SOT-223 封装中具备较高的电流承载能力。该封装不仅提供了良好的热管理性能，还支持表面贴装工艺，适合自动化生产和高密度 PCB 设计。
此外，该器件的功率耗散为 1.5W，能够在有限的散热条件下维持稳定运行。工作温度范围从 -55℃ 到 150℃，适用于工业级环境，确保在各种恶劣条件下仍具备可靠性。
ZE6060-RCJ 广泛应用于多个电子系统领域。其主要用途之一是作为负载开关，用于控制电源到负载的通断，例如在电池供电设备中控制不同模块的供电状态以节省能耗。
在电源管理系统中，ZE6060-RCJ 可作为高边开关使用，配合控制器实现过流保护、软启动等功能，提高系统的稳定性和安全性。
该器件也常用于 DC-DC 转换器中，尤其是在同步整流拓扑中作为高边开关，提升转换效率并减少功率损耗。
此外，ZE6060-RCJ 还适用于马达驱动、LED 照明控制、充电管理电路以及便携式消费电子产品中的开关控制应用。其 SOT-223 封装形式使其适用于空间受限的设计，同时具备良好的热性能，确保在长时间运行中保持稳定。
Si4435BDY, FDC6303, IRML6401, AO4406A
