类型：双路N沟道MOSFET模块
　　漏源电压（Vds）：250V
　　漏极电流（Id）：60A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（最大）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：双排直插式（DP）
　　安装方式：通孔安装（Through Hole）
　　绝缘电压：2500Vrms（模块绝缘型）

ZE064W-24DP-HU/R(A) MOSFET模块具有多个关键特性，以满足高性能功率电子系统的需求。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为18mΩ，能够显著降低在导通状态下的功率损耗，从而提高系统效率。这对于高功率应用尤其重要，有助于减少发热并提升整体系统性能。其次，该模块具备高耐压能力，漏源电压（Vds）可达250V，适用于多种中高电压应用场景。此外，其连续漏极电流额定值为60A，确保在高负载条件下仍能稳定运行。该器件的栅极电压范围为±20V，提供良好的驱动兼容性，可与多种控制电路配合使用。模块设计中包含热保护功能，能够在高温条件下自动关闭以防止损坏，从而提高系统的可靠性和安全性。封装方面，该模块采用双排直插式（Dual-in-line Package, DIP）封装，支持通孔安装，便于集成到印刷电路板（PCB）中，并具备良好的机械稳定性和电气连接性。此外，模块具备2500Vrms的绝缘电压，确保在高电压应用中实现良好的电气隔离，保障系统安全。最后，该模块的工作温度范围宽，从-55°C至150°C，使其能够在极端环境条件下正常运行，适用于工业级和汽车电子等严苛应用场合。

ZE064W-24DP-HU/R(A) MOSFET模块广泛应用于需要高功率密度和高效率的电子系统中。例如，在工业自动化领域，它可用于驱动大功率电机和变频器，实现高效的能量转换和精确的电机控制。在电源管理系统中，该模块可用于高效率DC-DC转换器和不间断电源（UPS）系统，以提高能源利用率并减少热量产生。此外，它在电动汽车和混合动力汽车的电源管理系统中也扮演重要角色，用于电池管理系统（BMS）、车载充电器和电机控制器等关键部件。在可再生能源领域，如太阳能逆变器和风力发电系统中，该模块能够有效提升能量转换效率，并在恶劣环境下保持稳定运行。同时，它还可用于工业加热设备、电焊机和高频电源等高功率电子设备中，提供可靠的开关和控制功能。

TJ240N250KOF, ZHCS100G, IPP110N25NM5, AUIRF2804