时间：2025/7/4 3:58:33
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RB471ET148是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它主要用于功率转换、电机驱动和开关电源等应用。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高耐压的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
RB471ET148适用于需要高效率和高可靠性的电子电路设计。其卓越的电气性能使其成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：2.5A
导通电阻：3.5Ω
栅极电荷：25nC
总电容：400pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高耐压能力，支持高达600V的工作电压，适合高压环境应用。
2. 低导通电阻设计，有效减少功率损耗。
3. 快速开关速度，有助于提升工作效率。
4. 具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定运行。
5. TO-220封装便于安装和散热管理，适合多种应用场景。
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池保护电路
5. 各种工业和消费类电子产品中的功率管理模块
IRF640N, STP12NF06L, FQP16N60C
