类型：N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大漏极电流(Id)：8A
　　导通电阻(Rds(on))：0.25Ω（最大值）
　　最大功耗(Pd)：40W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2V至4V
　　漏极与源极之间的击穿电压(BVdss)：100V
　　漏极电流(Id)连续：8A

JTX2N5483 MOSFET采用了先进的平面技术，具有出色的热稳定性和可靠性。其低导通电阻使得在高电流应用中能减少功率损耗，提高整体效率。此外，该器件具备快速的开关特性，适用于高频开关电路，从而减小外部滤波元件的尺寸并提高系统响应速度。
　　在耐用性方面，JTX2N5483具有较高的雪崩击穿能量承受能力，能够应对瞬时过载和电压尖峰，从而提高电路的鲁棒性。其TO-220封装不仅便于散热，还提供了良好的机械稳定性，适用于各种工业和消费类电子产品。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持2V至10V的栅极驱动电压，便于与多种控制器和驱动电路配合使用。同时，其内部结构优化了电容特性，降低了开关损耗，从而提高了整体系统效率。

JTX2N5483常用于电源管理电路、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电机驱动器等应用。在电动车、工业自动化、通信设备以及消费电子产品中，该MOSFET可作为主开关或功率调节元件，实现高效的能量转换和控制。
　　由于其良好的热性能和高可靠性，JTX2N5483也适用于需要长时间稳定运行的工业控制系统和自动化设备中。在电源适配器和充电器中，该器件可以用于同步整流电路，以提高转换效率并减少热量产生。此外，在LED照明驱动和电源调节模块中，JTX2N5483也表现出色，提供稳定可靠的功率控制解决方案。

IRF540, FQP8N10L, STP8NK10Z, 2SK3018