类型：MOSFET，N-Channel
　　漏极电流（ID）：180A（Tc）
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值 3.7mΩ @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：300W（Tc）
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

IXFA180N10T2 TRL 的主要特性包括极低的导通电阻（RDS(on)），可显著降低导通损耗，提高系统效率；其高电流承载能力和高耐压能力使其适用于高功率应用；此外，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了优异的热稳定性和可靠性。封装形式为 TO-263（D2PAK），支持表面贴装，便于在 PCB 上安装，并具备良好的热管理能力。该器件还具有快速开关性能，适合用于高频开关电路。其栅极驱动电压范围宽，支持 4.5V 至 20V 的栅极驱动，兼容多种驱动器设计。
　　在可靠性方面，IXFA180N10T2 TRL 通过了严格的工业级认证，具备良好的抗冲击和抗振动能力，适用于严苛的工业和汽车环境。其内部结构优化，降低了寄生电感和电容，有助于减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。该器件还具备过热保护能力，可在高负载条件下保持稳定运行。

IXFA180N10T2 TRL 广泛应用于多种高功率电子系统中，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、逆变器、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等。由于其低导通电阻和高效率特性，特别适合用于需要高效率和高功率密度的电源设计。在工业自动化设备中，它可作为高电流开关使用；在汽车电子系统中，可用于电机驱动和车载充电系统；在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中也有广泛应用。

IRFP4468PBF、SiHF180N10T、FDMS86201、CSD18540Q5B、IXFH180N10T2