类型：齐纳二极管
　　封装/外壳：SOD-323（SC-89）
　　齐纳电压（Vz）：3.3V（典型值）
　　电压容差：±5%
　　测试电流（IzT）：5mA
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：20Ω（在IzT下）
　　最大反向漏电流（Ir）：1μA（在VR = 1V时）
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

ZDT6753TA具备出色的电压稳定性和温度特性，其核心优势在于在低电流工作条件下仍能维持精确的齐纳击穿电压。该器件在5mA的测试电流下表现出低至20Ω的动态阻抗，这意味着在负载变化或输入波动时，输出电压波动极小，能够为敏感电路提供可靠的参考电平。其3.3V的标称电压恰好匹配当前主流的低电压数字逻辑系统（如3.3V MCU、FPGA和传感器接口），使其成为电源监控、复位生成和电平检测电路的理想选择。
　　该齐纳二极管采用先进的硅半导体工艺制造，具备良好的长期稳定性和老化性能，即使在长时间运行后也能保持电压精度。其SOD-323封装不仅节省PCB空间，而且具有较高的热导率，有助于将工作时产生的热量及时散发，从而延长器件寿命并提高系统可靠性。此外，该封装形式与自动贴片设备兼容，支持高速、高精度的SMT装配流程，降低生产成本。
　　ZDT6753TA在反向偏置状态下的漏电流极低，典型值仅为1μA（在1V反向电压下），这在电池供电设备中尤为重要，因为它可以显著减少静态功耗，延长电池续航时间。同时，该器件具备较强的瞬态电压抑制能力，可用于吸收ESD脉冲或开关噪声，保护后续电路免受高压冲击。其快速响应时间确保在纳秒级的瞬变事件中迅速导通，起到有效的箝位作用。
　　该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在极端环境温度下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子和户外通信设备等严苛应用场景。此外，产品符合AEC-Q101车规级可靠性标准（若标注为汽车级版本），进一步拓展了其在车载系统中的应用潜力。整体而言，ZDT6753TA以其小尺寸、高精度、低功耗和高可靠性的综合优势，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

ZDT6753TA广泛应用于各类需要稳定参考电压或过压保护的电子系统中。常见用途包括为微控制器单元（MCU）提供复位信号的电压监测电路，当电源电压低于设定阈值时触发复位，防止系统因欠压而运行异常。在模数转换器（ADC）前端，它可作为简单的参考电压源，确保采样精度不受电源波动影响，尤其适用于成本敏感型消费类电子产品。
　　在电源管理系统中，ZDT6753TA可用于构建低压线性稳压器的反馈网络，帮助调节输出电压；也可作为LDO使能端的电平检测元件，实现多路电源时序控制。在接口电路设计中，例如USB、I2C、SPI等通信总线，该器件常被用来进行电平箝位，防止静电放电（ESD）或电压尖峰损坏主控芯片，提升系统的电磁兼容性（EMC）性能。
　　此外，ZDT6753TA还适用于电池供电设备，如智能手机、可穿戴设备、物联网传感器节点等，其中低功耗和小尺寸是关键设计考量因素。它可以集成在PMU（电源管理单元）周边电路中，用于电池电量检测或充电状态指示。在工业自动化和汽车电子领域，该器件可用于传感器信号调理模块，提供稳定的偏置电压或保护敏感模拟前端免受瞬态干扰。
　　由于其良好的温度稳定性和长期可靠性，ZDT6753TA也适用于医疗电子、测量仪器和通信模块等对稳定性要求较高的场合。总之，凡是需要一个紧凑、高效且经济的3.3V稳压解决方案的地方，ZDT6753TA都是一个极具吸引力的选择。

BZT52C3V3,MMBZ5231B,1N4728A,DFZ3.3B,SML431