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ZDT605TA 发布时间 时间：2023/8/18 17:03:24 查看 阅读：156

产品种类: 达林顿晶体管

目录

概述

制造商: Diodes Inc.
产品种类: 达林顿晶体管
晶体管极性: NPN
封装 / 箱体: SM-8
发射极 - 基极电压 VEBO: 10 V
功率耗散: 2.75 W
封装: Reel
集电极连续电流: 1 A

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ZDT605TA产品

ZDT605TA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型2 NPN 达林顿（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）120V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）1.5V @ 1mA，1A
  • 电流 - 集电极截止（最大）10µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)2000 @ 1A，5V
  • 功率 - 最大2.75W
  • 频率 - 转换150MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-223-8
  • 供应商设备封装SM8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZDT605TR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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