时间：2025/5/23 11:17:22
阅读：16
FK08N100J502EDG 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要应用于高压、高频开关场景。该型号由知名半导体制造商生产，具备出色的耐压能力与低导通电阻特性，适用于多种工业及消费类电子产品中的功率管理电路。
这款 MOSFET 的封装形式为 DPAK（TO-252），具有良好的散热性能和紧凑的设计，适合空间受限的应用场合。其高可靠性与稳定性使其成为电源转换器、电机驱动器以及负载开关等应用的理想选择。
最大漏源电压：100V
持续漏极电流：8A
导通电阻（典型值）：40mΩ
栅极电荷：20nC
开关速度：超快恢复
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：DPAK (TO-252)
功耗：约 1.6W
1. 高耐压能力，额定漏源电压达 100V，确保在高压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 40mΩ（典型值），减少功率损耗并提升效率。
3. 快速开关特性，栅极电荷小至 20nC，降低开关损耗，非常适合高频应用场景。
4. 宽广的工作温度范围，支持从 -55℃ 到 +175℃ 的极端环境，满足严苛条件下的使用需求。
5. 封装设计采用 DPAK（TO-252），提供优秀的散热性能同时保持小型化，便于 PCB 布局优化。
6. 出色的 ESD 保护功能，提高器件的抗静电能力，增加整体系统的可靠性。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器，用于高效能量转换。
3. 电机驱动电路，实现精确的速度与扭矩控制。
4. 负载开关，在各种电子设备中实现快速开启/关闭功能。
5. 过流保护电路，提供安全可靠的保护机制。
6. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关设备中的功率管理模块。
IRFZ44N, STP80NF06L, FDP8N10
