类型：齐纳二极管
　　标称稳压值：5.6V
　　容差：±5% 或 ±2%（依具体型号而定）
　　最大耗散功率：500mW / 1W（常见封装）
　　测试电流（IZT）：5mA 或 20mA（视型号）
　　动态阻抗（Zzt）：≤10Ω
　　漏电流（IR）：<5μA（在低于击穿电压时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DO-35、SOD-123、SOT-23 等

齐纳二极管ZD5.6的核心特性在于其稳定的5.6V反向击穿电压，这一电压值处于齐纳效应与雪崩效应的过渡区域，使得该器件在温度稳定性方面表现优异。在低于约5V的齐纳二极管中，主要依赖齐纳击穿机制，其温度系数为负；而在高于7V的器件中，主要依赖雪崩击穿，温度系数为正。而5.6V左右的器件由于两种效应相互抵消，表现出接近零的温度系数，因此在环境温度变化较大的应用中能够保持较高的电压稳定性，这是其被广泛选用的重要原因之一。
　　ZD5.6具有较低的动态阻抗，意味着当通过它的电流发生波动时，其两端电压的变化非常小，这有助于提供一个更“刚性”的电压参考。此外，其响应速度快，适合用于瞬态电压抑制和信号电平钳位。在实际应用中，ZD5.6通常需串联一个限流电阻，以防止因电流过大而导致热击穿或永久损坏。该器件的长期可靠性高，且成本低廉，易于获取，适合大批量使用。值得注意的是，为了确保其工作在最佳线性区域并达到标称稳压值，必须保证其工作电流不低于数据手册中规定的最小测试电流（如5mA）。
　　在噪声性能方面，齐纳二极管在击穿区会产生一定的电流噪声，尤其是在接近击穿阈值时，但5.6V型号由于工作机理较为稳定，噪声水平相对可控，适用于对噪声要求不极端严苛的模拟电路中。此外，ZD5.6还可与其他元件（如晶体管）配合构成更复杂的稳压电路，提升负载能力和调节精度。其小型化封装也使其适用于紧凑型电子设备中。

ZD5.6稳压二极管广泛应用于各类电子电路中，作为基准电压源使用。例如，在电源管理电路中，它可以为比较器、运算放大器或其他模拟IC提供稳定的参考电压，确保系统在输入电压波动时仍能正常工作。在过压保护电路中，ZD5.6可与三极管或MOSFET配合，当输入电压超过5.6V时导通，触发保护机制，防止后级电路受损。它也常用于信号电平钳位，例如在数字接口或传感器信号调理电路中，限制电压幅度，防止信号超出允许范围而损坏后续器件。
　　在消费类电子产品如手机充电器、LED驱动电源、小型家电控制板中，ZD5.6常被用作反馈回路中的电压采样元件，配合光耦实现隔离式开关电源的输出电压调节。此外，在测量仪器和工业控制系统中，由于其良好的温度稳定性，ZD5.6可用于构建低成本但可靠的电压参考源。在音频设备中，它可用于偏置电路或电源去耦，提供干净的直流电平。由于其体积小、成本低、性能稳定，ZD5.6也是电子爱好者和原型开发中最常用的稳压二极管之一，广泛用于实验板、教学电路和DIY项目中。

BZX55C5V6
　　1N4734A
　　MMSZ56B
　　HZ6B2