时间：2025/9/14 16:39:45
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PSMN6R5-80BS是一款由Nexperia（安世半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于高效率、高功率密度的电源转换系统，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。其设计优化了导通电阻（Rds(on)）和开关损耗的平衡，从而在高频应用中提供出色的性能。PSMN6R5-80BS采用Trench MOSFET技术，具有低栅极电荷和快速开关特性，使其适用于现代电源管理系统。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：80V
连续漏极电流（Id）@25°C：120A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：6.5mΩ
栅极电荷（Qg）：75nC
封装类型：PowerSO-10
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
PSMN6R5-80BS具有多个关键特性，使其适用于高要求的功率应用。首先，其低导通电阻减少了导通损耗，提高了系统效率。其次，该MOSFET采用了先进的Trench MOSFET技术，使得在保持低Rds(on)的同时，也实现了低栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），从而降低了开关损耗，特别是在高频开关条件下表现优异。
此外，PSMN6R5-80BS具有较高的电流承载能力，在120A的连续漏极电流下仍能保持稳定工作，适用于高功率密度的电源模块设计。该器件还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，增强了系统的稳定性和寿命。
其封装形式为PowerSO-10，具备良好的散热性能和空间利用率，适用于紧凑型电源设计。同时，该封装符合RoHS环保标准，支持绿色电子产品的开发。
PSMN6R5-80BS广泛应用于各种高功率、高效率的电源系统中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具和电动车辆的功率控制模块。由于其高频特性，该器件也适合用于开关电源（SMPS）、LED驱动器以及工业自动化设备中的电源管理部分。
在汽车电子领域，PSMN6R5-80BS可用于车载充电器、电池管理系统、电机驱动和DC-DC转换器等应用，满足汽车行业对高可靠性和高效率的要求。
IPD65R1K0CFD
SiR182DP
IRF1324S
