类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大漏极电流（Id）：4.6A（在Vgs=10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：85mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　栅极电荷（Qg）：9.5nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-236（SC-59）
　　功耗（Pd）：1.5W

ZBVJ15 MOSFET 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流工作状态下能够有效降低功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件具有较快的开关速度，这得益于其较低的栅极电荷（Qg）和优化的内部结构设计，使其在高频率应用中表现出色。ZBVJ15 还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在极端工作条件下保持稳定运行。
　　该器件的封装形式为 TO-236（SC-59），这是一种小型化的表面贴装封装，适合高密度 PCB 布局。同时，ZBVJ15 具有较高的热阻性能，能够有效散发工作过程中产生的热量，从而延长器件的使用寿命。
　　在电气特性方面，ZBVJ15 的栅极驱动电压范围较宽，通常可在 4.5V 至 20V 之间正常工作，这使得其兼容多种栅极驱动电路。此外，该器件的漏极电流额定值较高，能够承受瞬时过载情况，提高了系统在突发负载变化时的稳定性。

ZBVJ15 主要应用于各种电源管理系统中，例如 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。由于其优异的导通特性和快速的开关响应时间，ZBVJ15 也常用于电机驱动、LED 照明控制以及工业自动化设备中的功率开关模块。此外，在便携式电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机，ZBVJ15 可用于电源管理单元（PMU）以实现高效的能源利用。

Si2302DS, FDN304P, IRML2803