制造商：Mini-Circuits
　　产品类型：射频开关（RF Switch）
　　型号：ZASWA-2-50DR+
　　频率范围：DC ~ 4 GHz
　　开关类型：吸收式（Absorptive）
　　控制信号：TTL/CMOS 兼容
　　插入损耗：典型值 0.5 dB（最大 0.8 dB）
　　隔离度：典型值 20 dB（最小 17 dB）
　　供电电压：+5V 和 -5V
　　封装类型：10 引脚 SMT（表面贴装技术）
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　功耗：约 120 mW
　　切换时间（Ton/Toff）：典型值 15 ns

ZASWA-2-50DR+ 是一款高性能射频开关，具备多项优异特性，适用于高频和宽带应用。其采用 GaAs MMIC 技术，使得器件在宽频率范围内保持稳定性能，直流至 4 GHz 的操作频率使其适用于多种无线通信系统、射频测试设备以及信号切换系统。该器件为吸收式开关，意味着在非导通状态下能够有效吸收信号，避免反射对系统造成干扰，从而提高系统的整体稳定性。
　　在电气性能方面，ZASWA-2-50DR+ 提供了低插入损耗（典型值 0.5 dB）和高隔离度（典型值 20 dB），确保信号在导通路径中损失最小，同时在非导通路径中有效隔离。这使得该开关非常适合用于需要高精度信号路由的场合，如多路复用器、频谱分析仪和射频自动测试设备（ATE）系统。
　　该开关的控制接口兼容 TTL 和 CMOS 电平，便于与数字控制电路集成。供电方面，ZASWA-2-50DR+ 需要 +5V 和 -5V 双电源供电，这种设计有助于提高开关的线性度和稳定性。此外，其 10 引脚 SMT 封装形式不仅节省空间，还支持自动化贴片工艺，提高了生产效率和可靠性。
　　ZASWA-2-50DR+ 的工作温度范围为 -55°C 至 +85°C，适用于工业级环境。其功耗约为 120 mW，属于低功耗器件，适用于对功耗敏感的应用场景。此外，该开关的切换时间非常快，典型值仅为 15 ns，适合高速信号切换任务。

ZASWA-2-50DR+ 射频开关由于其优异的性能和广泛的工作频率范围，被广泛应用于多种射频和微波系统中。在通信系统中，它可用于基站和无线接入点中的信号路径切换，实现多频段或多天线配置。在测试与测量设备中，该开关常用于频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪中，实现多路信号的快速切换和路由管理。
　　此外，该器件也适用于自动测试设备（ATE）系统，在芯片测试和模块测试中实现高频信号的动态切换。由于其吸收式特性，ZASWA-2-50DR+ 在雷达系统、微波中继设备和卫星通信设备中也有广泛应用，可有效降低信号反射对系统性能的影响。
　　在工业控制和自动化系统中，ZASWA-2-50DR+ 可用于构建射频多路复用器，实现多个传感器或发射器之间的快速信号切换。由于其高速切换能力和宽温工作范围，也适合用于恶劣环境下的远程监控和无线通信系统。

ZASWA-2-50DR 替代型号包括:HMC273MS8C HMC273LC4 HMC273LC4B