时间：2025/7/1 19:56:23
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RTR025N05HZG 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-263 封装形式。该器件适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等应用。其低导通电阻和快速开关特性使得它在需要高效能和低损耗的场景中表现优异。
这款 MOSFET 的额定电压为 50V，能够承受较高的漏源电压，同时具有较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗。此外，它的导通电阻也经过优化，在特定条件下可以实现更低的功耗。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：28A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷（典型值）：49nC
总电容（输入电容）：1720pF
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263
RTR025N05HZG 的主要特点是其超低导通电阻和高电流处理能力。这使得该器件非常适合用于要求高效率和高功率密度的应用场景。
1. 低导通电阻确保了在大电流工作条件下的低功耗，从而提升了整体系统的效率。
2. 快速开关性能降低了开关过程中的能量损失，这对高频操作尤为重要。
3. 高温适应性使其能够在严苛的工作环境下稳定运行，例如汽车电子和工业控制领域。
4. 其封装设计便于散热，并且与标准 PCB 板兼容，简化了安装和维护流程。
该器件广泛应用于多种电力电子设备中，具体包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 各种负载切换和保护电路。
5. 工业自动化系统中的功率控制模块。
RTR025N05LZG, RTR025N05HSG
