制造商：Mini-Circuits
　　型号：ZAD-3BR+
　　衰减值：3 dB
　　频率范围：DC ~ 8 GHz
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　连接器类型：表面贴装（SMT）
　　VSWR（输入/输出）：最大1.50:1
　　工作温度范围：-55°C ~ +100°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　功率处理能力：最大2瓦连续波（CW）
　　衰减精度：±0.5 dB 典型值
　　温度系数：±0.02 dB/°C
　　相位平衡：±3° 最大
　　幅度平衡：±0.25 dB 最大
　　封装类型：6引脚陶瓷SMT封装
　　尺寸：0.36 x 0.24 x 0.1 英寸（9.1 x 6.1 x 2.5 mm）
　　安装方式：表面贴装技术
　　RoHS合规性：符合RoHS指令要求

ZAD-3BR+ 的核心特性之一是其卓越的宽带性能，能够在从直流到8 GHz的宽频率范围内提供稳定且可预测的3 dB衰减。这种宽带操作能力使其适用于多种射频系统，包括多频段通信设备、宽带放大器测试平台以及需要跨多个频谱工作的军事和航空航天应用。在整个频率范围内，该器件展现出极小的衰减波动（通常小于±0.5 dB），保证了信号电平的一致性，避免因频率变化引起的增益偏差。
　　另一个关键特性是其优异的电压驻波比（VSWR），在输入和输出端口均保持在最大1.50:1以下，表明其具有出色的阻抗匹配能力。低VSWR意味着更少的信号反射，从而减少系统内的驻波效应和潜在的信号失真，这对于高灵敏度接收机前端或发射链路中的级间匹配尤为重要。此外，良好的回波损耗性能进一步提升了系统的整体信号完整性。
　　热稳定性是ZAD-3BR+ 的一大优势。该器件采用先进的薄膜电阻技术和陶瓷基板材料，能够在-55°C至+100°C的工作温度范围内保持高度稳定的电气性能。其温度系数仅为±0.02 dB/°C，这意味着即使在极端环境条件下，衰减值的变化也非常微小，确保系统长期运行的可靠性和一致性。
　　机械结构方面，ZAD-3BR+ 采用坚固的6引脚陶瓷表面贴装封装，不仅提供了良好的热传导性和机械强度，还便于自动化贴片生产，提高制造效率。小型化的尺寸（9.1 x 6.1 x 2.5 mm）使其非常适合空间受限的应用场景，如便携式无线设备或高密度毫米波模块。
　　此外，ZAD-3BR+ 具备高达2瓦的连续波功率处理能力，能够承受较高的信号功率而不发生性能退化或损坏，适用于中等功率射频路径中的电平调节任务。其相位和幅度平衡性能也表现出色，分别为±3°和±0.25 dB，适用于差分信号路径或需要保持信号对称性的I/Q调制系统中。

ZAD-3BR+ 被广泛应用于各类高性能射频和微波系统中，尤其适合需要精确信号电平控制的场合。在通信系统中，它常用于基站射频前端、中继器和双向无线电设备中，作为自动增益控制（AGC）环路的一部分，用于调节接收或发射信号的强度，防止过载并优化动态范围。
　　在测试与测量领域，ZAD-3BR+ 常被集成于矢量网络分析仪（VNA）、频谱分析仪和信号发生器的校准路径中，作为已知衰减基准，用于补偿测试电缆损耗或扩展仪器的动态测量范围。其高精度和稳定性使其成为实验室和生产线测试夹具中的理想选择。
　　在雷达和电子战（EW）系统中，该器件可用于功率分配网络、本振（LO）信号调理以及天线阵列中的相位/幅度均衡电路。由于其宽带特性和低相位失真，ZAD-3BR+ 可有效支持脉冲信号和调制波形的无损传输。
　　此外，在宽带放大器设计中，ZAD-3BR+ 可用于级间匹配网络中，起到隔离级联放大器之间的相互影响、改善输入输出驻波比的作用。它也可作为可变衰减器（如PIN二极管或FET型）的固定衰减单元，构建多级程控衰减器（Digital Step Attenuator, DSA）。
　　在卫星通信和地面站设备中，ZAD-3BR+ 用于上下变频链路中的信号电平调整，确保混频器工作在最佳输入功率范围内，从而提升信噪比和线性度。其RoHS合规性和高可靠性也使其适用于航天级和工业级应用环境。

ZAD-3BW+
　　ZAD-3BN+
　　PAD-3R2+
　　ZFDC-3R-S+