时间：2025/7/22 9:14:30
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Z3PK8100H 是由东芝（Toshiba）生产的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要面向高效率电源管理和功率转换应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适合用于DC-DC转换器、电源管理模块、电池充电系统等高功率应用场景。Z3PK8100H 采用高密度封装技术，提供良好的散热性能，确保在高电流负载下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：100V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：80A（在Tc=25°C时）
最大脉冲漏极电流(IDM)：320A
导通电阻(RDS(on))：最大10.8mΩ（在VGS=10V时）
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
Z3PK8100H 的核心优势在于其出色的导通性能和热稳定性。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件采用了东芝先进的沟槽式MOSFET技术，优化了载流子分布，提升了器件的电流承载能力和开关性能。
此外，Z3PK8100H 采用了高耐压的结构设计，使其在100V的工作电压下仍能保持良好的稳定性和可靠性，适用于多种高电压、高电流的应用场景。其TO-247封装形式具有良好的散热性能，能够在高负载条件下有效散热，延长器件的使用寿命。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，能够在极端工作条件下提供更高的安全性和稳定性。其快速开关特性也使其适用于高频开关电源和电机控制等对开关速度要求较高的应用场合。
Z3PK8100H 主要应用于高效能电源系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、工业自动化设备以及汽车电子系统。其高电流承载能力和低导通电阻使其特别适合用于需要高效率和高稳定性的功率转换系统。
在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，Z3PK8100H 也常被用于主功率开关或同步整流电路中，以提升系统整体效率。同时，由于其优异的热管理和高频开关性能，该器件也广泛应用于服务器电源、通信设备电源以及工业控制设备中，满足高可靠性与高性能的设计需求。
SiHF80N100E、TKA80N100、IRFP4468PBF、FDMS86180
