Z30-13-5-75 时间：2025/9/16 16:12:24 阅读：8

Z30-13-5-75 是一种高频、高功率晶体管，通常用于射频（RF）和微波放大器应用。该器件基于砷化镓（GaAs）技术制造，适用于需要高线性度和高效率的通信系统。Z30-13-5-75在设计上优化了高频性能，使其在75 MHz至超过1 GHz的频率范围内表现出色。

参数

类型：GaAs FET
　　封装类型：金属封装
　　最大漏极电压（Vds）：30 V
　　最大栅极电压（Vgs）：-13 V
　　最大漏极电流（Id）：5 A
　　频率范围：75 MHz - 1 GHz
　　输出功率：典型值为30 W
　　增益：18 dB（典型）
　　效率：60%以上
　　线性度：高线性输出
　　输入和输出阻抗：50Ω

特性

Z30-13-5-75 是一款专为高频应用设计的场效应晶体管（FET），具有优异的射频性能和稳定性。该器件采用了GaAs材料，具有良好的热稳定性和高电子迁移率，使其能够在高频下保持出色的放大特性。
　　Z30-13-5-75 的主要特性之一是其高输出功率能力。在典型工作条件下，该晶体管可以提供高达30W的输出功率，适用于需要高功率放大的射频系统。此外，该器件的增益表现优异，典型增益达到18 dB，能够在不引入过多噪声的情况下实现高效的信号放大。
　　另一个重要特性是其高效率，Z30-13-5-75 的效率通常在60%以上，这意味着在高功率输出下，器件的功耗和发热相对较低，从而提高了整体系统的能效和可靠性。此外，该晶体管具有良好的线性度，适用于需要低失真的应用，例如数字通信和宽带放大器。
　　Z30-13-5-75 还具有良好的输入和输出阻抗匹配特性，其输入和输出阻抗为50Ω，这使得它可以直接与常见的射频电路和天线系统进行匹配，简化了电路设计并减少了信号反射。

应用

Z30-13-5-75 通常用于射频和微波通信系统中的功率放大器模块。它适用于各种无线通信标准，包括AM、FM、数字广播、无线基站和中继器系统。此外，该器件也广泛应用于测试设备、工业控制系统以及需要高功率射频输出的军事和航空航天设备。由于其高线性度和低失真特性，Z30-13-5-75 特别适合用于数字通信系统中，如CDMA、WCDMA和LTE基站放大器。此外，该晶体管还可用于广播发射机、UHF和VHF频段的高功率放大器以及宽带射频放大器设计。