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Z0840004DSE 发布时间 时间:2025/5/24 21:09:41 查看 阅读:14

Z0840004DSE 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率转换芯片,适用于高频、高效率电源系统设计。该芯片集成了增强型 GaN 晶体管与驱动电路,支持高达 100V 的工作电压,并提供极低的导通电阻以减少功率损耗。其封装形式为小型 QFN 封装,适合空间受限的应用场景。
  该器件具有快速开关特性,能够在高频条件下保持较高的效率,同时内置多重保护机制,包括过流保护(OCP)、过温保护(OTP)和欠压锁定(UVLO),从而提高系统的稳定性和可靠性。

参数

最大工作电压:100V
  导通电阻(Rds(on)):40mΩ
  栅极电荷:3nC
  连续漏极电流:8A
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
  封装类型:QFN

特性

Z0840004DSE 采用了先进的氮化镓技术,具备以下显著特性:
  1. 高效性能:得益于极低的导通电阻和栅极电荷,该器件能够显著降低导通损耗和开关损耗。
  2. 高频率操作:支持高达数 MHz 的开关频率,使得磁性元件体积更小,系统更加紧凑。
  3. 内置保护功能:集成 OCP、OTP 和 UVLO 等多重保护功能,提高了系统的鲁棒性。
  4. 易于使用:兼容传统硅 MOSFET 驱动电路,无需额外复杂的设计改动。
  5. 高功率密度:由于支持高频操作,可大幅减小无源元件尺寸,提升整体功率密度。

应用

Z0840004DSE 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):
   - AC-DC 转换器
   - DC-DC 转换器
  2. 快速充电器:
   - USB-PD 充电器
   - 车载充电设备
  3. 工业电源:
   - LED 驱动电源
   - 工业自动化控制
  4. 通信设备:
   - 基站电源
   - 网络路由器电源模块

替代型号

Z0840006DSE, Z0840008DSE

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