Z0840004DSE 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率转换芯片,适用于高频、高效率电源系统设计。该芯片集成了增强型 GaN 晶体管与驱动电路,支持高达 100V 的工作电压,并提供极低的导通电阻以减少功率损耗。其封装形式为小型 QFN 封装,适合空间受限的应用场景。
该器件具有快速开关特性,能够在高频条件下保持较高的效率,同时内置多重保护机制,包括过流保护(OCP)、过温保护(OTP)和欠压锁定(UVLO),从而提高系统的稳定性和可靠性。
最大工作电压:100V
导通电阻(Rds(on)):40mΩ
栅极电荷:3nC
连续漏极电流:8A
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
封装类型:QFN
Z0840004DSE 采用了先进的氮化镓技术,具备以下显著特性:
1. 高效性能:得益于极低的导通电阻和栅极电荷,该器件能够显著降低导通损耗和开关损耗。
2. 高频率操作:支持高达数 MHz 的开关频率,使得磁性元件体积更小,系统更加紧凑。
3. 内置保护功能:集成 OCP、OTP 和 UVLO 等多重保护功能,提高了系统的鲁棒性。
4. 易于使用:兼容传统硅 MOSFET 驱动电路,无需额外复杂的设计改动。
5. 高功率密度:由于支持高频操作,可大幅减小无源元件尺寸,提升整体功率密度。
Z0840004DSE 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):
- AC-DC 转换器
- DC-DC 转换器
2. 快速充电器:
- USB-PD 充电器
- 车载充电设备
3. 工业电源:
- LED 驱动电源
- 工业自动化控制
4. 通信设备:
- 基站电源
- 网络路由器电源模块
Z0840006DSE, Z0840008DSE