型号：Z-15GW-B
　　制造商：OMI
　　类型：光电晶体管输出光耦
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出集电极-发射极电压（VCEO）：35 V
　　输出发射极-集电极电压（VECO）：7 V
　　输出集电极电流（IC）：50 mA
　　隔离电压（Viso）：5000 VRMS
　　电流传输比（CTR）：50% ~ 600%
　　上升时间（tr）：3 μs
　　下降时间（tf）：3 μs
　　工作温度范围：-55°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +125°C
　　封装类型：DIP-6
　　引脚数：6
　　最大功耗（PD）：200 mW

Z-15GW-B具备出色的电气隔离性能，能够在输入与输出之间提供高达5000 VRMS的隔离电压，这使其非常适合用于需要强电与弱电之间进行安全隔离的应用场合，如工业自动化控制系统、电力监控设备和医疗仪器等。这种高隔离能力不仅能够防止高压窜入低压侧造成损坏，还能显著降低电磁干扰（EMI）的影响，提升系统整体的抗干扰能力和运行稳定性。该器件的电流传输比（CTR）范围宽，典型值在50%到600%之间，意味着即使在较低的输入电流下也能实现有效的信号传递，有利于降低驱动电路的功耗并简化前端设计。CTR的高一致性与长期稳定性保证了在长时间运行过程中信号传输的可靠性，减少了因老化导致的性能衰减问题。
　　Z-15GW-B采用GaAs红外LED与硅光电晶体管组合结构，具有良好的光转换效率和响应速度，其上升时间和下降时间均控制在3微秒以内，适用于中速数字信号隔离传输，例如PWM信号隔离、逻辑电平转换和继电器驱动控制等场景。器件的工作温度范围极宽，从-55°C到+110°C，满足军用级和工业级应用需求，可在极端环境条件下保持稳定工作，不会因温度波动而出现误动作或性能下降。此外，该光耦的封装符合UL、CSA、VDE等国际安全认证标准，具备优异的绝缘性能和耐湿热能力，适合在潮湿、高温或多尘的工业现场使用。
　　Z-15GW-B还具有低输入驱动需求的特点，仅需5~20mA的LED正向电流即可可靠触发输出端导通，兼容TTL、CMOS等多种逻辑电路输出电平，方便与微控制器、FPGA或DSP等数字处理器直接接口。其DIP-6封装设计提供了足够的爬电距离和电气间隙，进一步增强了安全隔离效果。由于其高可靠性和成熟的制造工艺，Z-15GW-B在长期连续运行中表现出色，寿命长，失效率低，是许多关键系统中首选的隔离元件之一。

Z-15GW-B广泛应用于需要电气隔离的各种电子系统中，尤其在工业控制领域表现突出。它常用于可编程逻辑控制器（PLC）的输入/输出模块中，作为现场传感器信号与内部逻辑电路之间的隔离接口，既能保护核心控制单元免受外部高压冲击，又能有效滤除工业现场常见的噪声干扰。在开关电源设计中，Z-15GW-B常被用作反馈回路中的隔离元件，将次级侧的电压检测信号传送到初级侧的PWM控制器，实现闭环稳压控制，同时维持原边与副边之间的绝缘要求。这一应用对于满足安规认证（如IEC 60950、IEC 61010）至关重要。
　　在电机驱动和逆变器系统中，Z-15GW-B可用于隔离控制信号与功率桥臂驱动电路，防止高dv/dt噪声通过共地路径影响控制逻辑，确保驱动信号的准确性和系统的安全性。此外，在通信接口电路中，如RS-232、RS-485隔离模块，该光耦也可用于实现数据线的电平转换与隔离，提升通信的抗干扰能力和系统鲁棒性。在测试测量设备和医疗电子设备中，Z-15GW-B因其高隔离电压和低漏电流特性，成为保障操作人员安全的重要组件，常用于患者连接设备的信号隔离通道。
　　由于其宽温特性和高可靠性，Z-15GW-B也适用于航空航天、国防电子和轨道交通等高端应用领域，在这些对元器件寿命和稳定性要求极为严苛的场景中，Z-15GW-B能够提供持久稳定的隔离性能。此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、UPS不间断电源等新能源相关设备中，实现多通道信号隔离与状态监测功能。

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