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2SC4413-TL-E 发布时间 时间:2025/9/20 4:18:47 查看 阅读:18

2SC4413-TL-E是一款由ROHM Semiconductor生产的NPN型硅晶体管,主要用于高频放大和开关应用。该器件采用紧凑的表面贴装小型封装(如SOT-416或类似的小型封装),适用于空间受限的便携式电子设备。2SC4413-TL-E在设计上优化了高频性能和低噪声特性,使其成为射频(RF)信号放大、音频前置放大以及小信号处理电路中的理想选择。该晶体管具有较高的直流电流增益(hFE)和良好的频率响应特性,能够在较宽的温度范围内稳定工作,适合工业级和消费类电子产品使用。此外,该器件符合RoHS环保标准,采用无铅(Pb-free)工艺制造,支持回流焊工艺,适用于自动化贴片生产线。由于其高可靠性和稳定的电气性能,2SC4413-TL-E广泛应用于移动通信设备、无线模块、传感器接口电路以及便携式音频设备中。

参数

晶体管类型:NPN
  集射极电压(VCEO):50V
  集电极电流(IC):100mA
  功率耗散(PD):150mW
  直流电流增益(hFE):300 ~ 800(典型值)
  过渡频率(fT):80MHz
  集电极-基极电压(VCBO):70V
  发射极-基极电压(VEBO):6V
  工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
  封装类型:SOT-416(US6)

特性

2SC4413-TL-E具备优异的高频放大能力,其过渡频率(fT)高达80MHz,使其在高频信号处理应用中表现出色,适用于射频前端放大器和小信号放大电路。该晶体管在低电流工作条件下仍能保持较高的电流增益,hFE值在300至800之间,确保了信号放大的稳定性与一致性,特别适合用于低功耗便携设备中的模拟信号调理。
  该器件采用小型表面贴装封装(SOT-416),极大节省了PCB布局空间,适合高密度组装需求。其封装结构具有良好的热传导性能和机械强度,能够在振动和温度变化较大的环境中稳定运行。此外,器件的寄生电容较低,有助于减少高频信号的损耗和失真,提高整体电路的响应速度和带宽。
  2SC4413-TL-E的电气参数经过严格筛选和测试,保证了批次间的一致性,降低了生产过程中的调试难度和不良率。其最大集电极电流为100mA,适合驱动小型负载或作为多级放大电路中的前置级。同时,该晶体管的饱和压降较低,在开关应用中可有效减少功耗,提升系统能效。
  该晶体管的工作温度范围宽,从-55°C到+150°C,适应各种严苛环境下的应用需求,包括工业控制、汽车电子外围电路和户外通信设备。其无铅环保设计符合现代绿色电子制造的要求,支持无铅焊接工艺,兼容主流SMT生产线,便于大规模自动化生产。

应用

2SC4413-TL-E广泛应用于需要小信号放大和高频开关功能的电子设备中。常见用途包括移动电话、无线对讲机、蓝牙模块和Wi-Fi通信模块中的射频放大电路。此外,它也适用于音频前置放大器、传感器信号调理电路、DC-DC转换器的驱动级以及各类便携式消费电子产品中的开关控制电路。由于其高增益和低噪声特性,该晶体管在微弱信号检测和放大场景中表现优异,例如在生物电信号采集设备、环境监测传感器和低功耗物联网节点中均有应用。同时,该器件也可用于替代老式通孔封装晶体管,在升级现有设计以实现小型化和表面贴装时提供可靠的解决方案。

替代型号

MMBT3904, BC847B, 2SC3998, FMMT217

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2SC4413-TL-E参数

  • 安装类型表面贴装
  • 宽度1.25mm
  • 封装类型MCP
  • 尺寸2 x 1.25 x 0.9mm
  • 引脚数目3
  • 晶体管类型NPN
  • 最大功率耗散150 mW
  • 最大发射极-基极电压15 V
  • 最大基极-发射极饱和电压1.1 V
  • 最大直流集电极电流100 mA
  • 最大集电极-发射极电压60 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压0.5 V
  • 最大集电极-基极电压60 V
  • 最小直流电流增益800 V
  • 最高工作温度+150 °C
  • 最高工作频率200 MHz
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别低频通用
  • 配置
  • 长度2mm
  • 高度0.9mm