时间：2025/9/20 4:18:47
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2SC4413-TL-E是一款由ROHM Semiconductor生产的NPN型硅晶体管，主要用于高频放大和开关应用。该器件采用紧凑的表面贴装小型封装（如SOT-416或类似的小型封装），适用于空间受限的便携式电子设备。2SC4413-TL-E在设计上优化了高频性能和低噪声特性，使其成为射频（RF）信号放大、音频前置放大以及小信号处理电路中的理想选择。该晶体管具有较高的直流电流增益（hFE）和良好的频率响应特性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合工业级和消费类电子产品使用。此外，该器件符合RoHS环保标准，采用无铅（Pb-free）工艺制造，支持回流焊工艺，适用于自动化贴片生产线。由于其高可靠性和稳定的电气性能，2SC4413-TL-E广泛应用于移动通信设备、无线模块、传感器接口电路以及便携式音频设备中。
晶体管类型：NPN
集射极电压（VCEO）：50V
集电极电流（IC）：100mA
功率耗散（PD）：150mW
直流电流增益（hFE）：300 ~ 800（典型值）
过渡频率（fT）：80MHz
集电极-基极电压（VCBO）：70V
发射极-基极电压（VEBO）：6V
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-416（US6）
2SC4413-TL-E具备优异的高频放大能力，其过渡频率（fT）高达80MHz，使其在高频信号处理应用中表现出色，适用于射频前端放大器和小信号放大电路。该晶体管在低电流工作条件下仍能保持较高的电流增益，hFE值在300至800之间，确保了信号放大的稳定性与一致性，特别适合用于低功耗便携设备中的模拟信号调理。
该器件采用小型表面贴装封装（SOT-416），极大节省了PCB布局空间，适合高密度组装需求。其封装结构具有良好的热传导性能和机械强度，能够在振动和温度变化较大的环境中稳定运行。此外，器件的寄生电容较低，有助于减少高频信号的损耗和失真，提高整体电路的响应速度和带宽。
2SC4413-TL-E的电气参数经过严格筛选和测试，保证了批次间的一致性，降低了生产过程中的调试难度和不良率。其最大集电极电流为100mA，适合驱动小型负载或作为多级放大电路中的前置级。同时，该晶体管的饱和压降较低，在开关应用中可有效减少功耗，提升系统能效。
该晶体管的工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，适应各种严苛环境下的应用需求，包括工业控制、汽车电子外围电路和户外通信设备。其无铅环保设计符合现代绿色电子制造的要求，支持无铅焊接工艺，兼容主流SMT生产线，便于大规模自动化生产。
2SC4413-TL-E广泛应用于需要小信号放大和高频开关功能的电子设备中。常见用途包括移动电话、无线对讲机、蓝牙模块和Wi-Fi通信模块中的射频放大电路。此外，它也适用于音频前置放大器、传感器信号调理电路、DC-DC转换器的驱动级以及各类便携式消费电子产品中的开关控制电路。由于其高增益和低噪声特性，该晶体管在微弱信号检测和放大场景中表现优异，例如在生物电信号采集设备、环境监测传感器和低功耗物联网节点中均有应用。同时，该器件也可用于替代老式通孔封装晶体管，在升级现有设计以实现小型化和表面贴装时提供可靠的解决方案。
MMBT3904, BC847B, 2SC3998, FMMT217
