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YTS4402TE85R 发布时间 时间:2025/7/24 16:58:58 查看 阅读:4

YTS4402TE85R 是一颗由 YAGEO(台湾国巨)公司生产的标准模拟集成电路(IC)产品,属于场效应晶体管(FET)类别。这款元件常用于功率管理、信号开关、电压调节等应用中。它基于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)技术,具备较高的开关速度和较低的导通电阻特性,适合广泛应用于便携式设备、工业控制、通信设备以及电源转换系统。由于其SOT-23封装形式,YTS4402TE85R在空间受限的设计中表现良好,并且易于集成到PCB电路板中。

参数

类型:MOSFET(N沟道)
  漏源电压(VDS):20V
  栅源电压(VGS):±12V
  连续漏极电流(ID):100mA
  导通电阻(RDS(on)):约5Ω(最大)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23

特性

YTS4402TE85R具备多项优良的电气特性和物理特性,使其在模拟和数字电路中表现出色。首先,它的低导通电阻(RDS(on))可以显著减少功率损耗,从而提高系统的整体效率。该特性对于电池供电设备尤为重要,因为它可以延长电池寿命。此外,该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽(±12V),这使得其可以兼容多种控制电路,提高了设计的灵活性。
  其次,YTS4402TE85R采用了先进的硅栅工艺技术,具有较高的开关速度和稳定的性能,适用于需要快速切换的应用场景。同时,该器件具有较高的温度稳定性,可以在极端温度条件下可靠工作,适合用于工业环境和高要求的消费类电子产品。
  最后,SOT-23封装提供了小型化和轻量化的优势,便于在空间受限的电路中使用。这种封装还具有良好的散热性能,确保器件在高负载下也能保持稳定运行。

应用

YTS4402TE85R 主要应用于低功耗和小型化的电子系统中。由于其具备较低的导通电阻和较高的开关速度,常被用作负载开关、信号路由、逻辑控制以及DC-DC转换电路中的关键元件。例如,在智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,它可以作为电源管理单元的一部分,用于精确控制不同模块的供电状态。
  此外,YTS4402TE85R也广泛用于传感器接口电路,作为信号通断控制的开关器件。在工业控制系统中,该MOSFET可用于继电器驱动、电机控制和LED照明调光电路。由于其高可靠性,该器件在汽车电子系统中也具有一定应用,如车载导航系统和车载娱乐系统的电源管理模块。
  值得一提的是,YTS4402TE85R的宽栅极电压范围允许其与多种微控制器(MCU)和逻辑门电路直接接口,无需额外的电平转换电路,从而简化了系统设计并降低了整体成本。

替代型号

Si2302DS, 2N7002, FDV301N