YSX531SL是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,能够在高频条件下提供优异的效率和稳定性。
YSX531SL以其出色的电气性能和可靠性,在各种功率管理应用中表现出色。同时,它采用标准的SOT-23封装形式,有助于简化PCB布局并降低整体设计复杂度。
漏源击穿电压:30V
最大漏极电流:2.7A
导通电阻(Rds(on)):65mΩ
栅极电荷:8nC
输入电容:190pF
工作温度范围:-55℃ to +150℃
1. 低导通电阻确保了更高的效率和更低的功耗。
2. 快速开关速度减少开关损耗,适合高频应用。
3. 小型化SOT-23封装节省空间,便于在紧凑型设计中使用。
4. 宽温工作范围使其能够适应恶劣的工作环境。
5. 高可靠性和长寿命,适用于多种工业和消费类电子设备。
1. 开关电源中的同步整流器。
2. DC-DC转换器的功率开关。
3. 电池保护电路。
4. 各种负载开关应用。
5. 电机驱动控制电路。
6. 过流保护和短路保护电路。
AO3400A
IRLML6402
FDMQ8203